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本发明公开了一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法，旨在进一步优化击穿电压与比导通电阻的矛盾关系从而优化器件性能，并可应用于柔性电子系统。该器件通过将性能较优异的功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，采用带有SOI基的P型...
该专利属于西安电子科技大学;钱塘科技创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学;钱塘科技创新中心授权不得商用。

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