鳍状晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种鳍状晶体管结构及其制造方法。鳍状晶体管结构包括第一基板。绝缘层设置在所述第一基板上。多个鳍状结构设置在所述绝缘层上。支撑介电层在所述多个鳍状结构的腰部位置将所述多个鳍状结构固定。栅极结构层，设置在所述支撑介电层上以及覆盖所述多个鳍状结构的一部分。

【技术实现步骤摘要】
鳍状晶体管结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是涉及鳍状场效晶体管(FinFieldEffectTransistor,FinFET)结构及其制造方法。
技术介绍
集成电路中是不可避免地会涉及大量的晶体管元件。晶体管的尺寸以及操作效率会决定最后集成电路的尺寸与效能。因此晶体管结构的设计也因应研发。从减少晶体管的尺寸的角度来看考虑，多种新晶体管结构的已被提出以取代较早期使用较大面积的晶体管，其中鳍状场效晶体管结构，或简称为鳍状晶体管也已被提出，至少可以有效减少晶体管的尺寸。在大量减少元件尺寸的设计下，对于鳍状晶体管的一般性结构，其相邻线状的鳍状结构与鳍状结构之间的距离会很小。然而鳍状结构之间的隔离基于半导体制造技术，一般是由介电材料例如氧化物所形成的浅沟槽隔离结构来达成隔离。由于鳍状结构之间的距离缩小，其间的寄生电容值会增加。寄生电容值(parasiticcapacitance)的增加会加大电阻电容(resistance-capacitance,RC)效应，而降低操作速率。如果要减少鳍状结构之间的寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍状晶体管结构，其特征在于，该鳍状晶体管结构包括:/n第一基板；/n绝缘层，设置在所述第一基板上；/n多个鳍状结构，设置在所述绝缘层上；/n支撑介电层，在所述多个鳍状结构的腰部位置将所述多个鳍状结构固定；以及/n栅极结构层，设置在所述支撑介电层上以及覆盖所述多个鳍状结构的一部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍状晶体管结构，其特征在于，该鳍状晶体管结构包括:
第一基板；
绝缘层，设置在所述第一基板上；
多个鳍状结构，设置在所述绝缘层上；
支撑介电层，在所述多个鳍状结构的腰部位置将所述多个鳍状结构固定；以及
栅极结构层，设置在所述支撑介电层上以及覆盖所述多个鳍状结构的一部分。


2.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述多个鳍状结构是第二基板的一部分，所述第二基板设置在所述绝缘层上且位于第一基板上方。


3.根据权利要求2所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述支撑介电层的端部是由所述第二基板的块状部分所固定。


4.根据权利要求3所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述绝缘层也覆盖所述块状部分的端表面，以贴附到所述第一基板。


5.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述绝缘层也覆盖所述多个鳍状结构在低于所述腰部位置的侧壁。


6.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述多个鳍状结构的每一个具有在所述绝缘层上的第一端面以及与所述第一端面相对被所述栅极结构层覆盖的第二端面，其中对于所述多个鳍状结构的横截方向，所述第二端面比所述第一端面宽。


7.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，从所述第一基板到所述多个鳍状结构的所述腰部位置的距离是所述多个鳍状结构的高度的一半或是高于一半。


8.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，所述绝缘层是氧化物层、氮化物层或是介电层。


9.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，在初始基板上设置有多个初始鳍状结构，所述多个初始鳍状结构之间的鳍间隔是预设，其中所述多个初始鳍状结构当作所述多个鳍状结构，相邻两个所述多个鳍状结构之间的距离等于所述鳍间隔。


10.根据权利要求1所述鳍状晶体管结构，其特征在于，在初始基板上设置有多个初始鳍状结构，所述多个初始鳍状结构之间的鳍间隔是预设，其中所述多个初始鳍状结构的一部分当作所述多个鳍状结构，相邻两个所述多个鳍状结构之间的距离是所述鳍间隔的至少两倍。


11.一种制造鳍状晶体管元件的方法，其特征在于，包括:
提供第一基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣尧，陈昱瑞，朱中良，蔡仁杰，林毓翔，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71