半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，包括：半导体层，其具有包含p型源极区域、p型漏极区域、所述p型源极区域与所述p型漏极区域之间的n型基体区域、和与所述n型基体区域相对的栅极电极的晶体管结构；设置于所述半导体层的恒压二极管，具有与所述p型源极区域连接的n型部和与所述栅极电极连接的p型部，所述晶体管结构和所述恒压二极管被做成一个芯片。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请是申请日为2017年5月18日、申请号为201710353342.5、专利技术名称为“半导体器件”的专利申请的分案申请。本申请对应2016年5月18日向日本专利局提出的特愿2016－099748号和2017年4月13日向日本专利局提出的特愿2017－079993号申请，这些申请的全部公开内容在此通过引用而被编入。
本专利技术涉及在1芯片内具有晶体管结构和恒压二极管的半导体器件。
技术介绍
目前，在各种控制电路中组装有用于保护IC(IntegratedCircuit：集成电路)的元件。例如，在专利文献1(特开2012－154119号公报)和专利文献2(特开2014－17701号公报)中，作为这样的IC保护用的元件，公开有二极管。随着IC控制的传感器、便携设备用的显示器或摄像机等的功能的增加，IC的消耗电流处于增加趋势。因此，作为IC的保护元件使用二极管时，与IC的消耗电流相配合必须增大保护元件的芯片尺寸，难以应对设备的小型化这样的要求。另一方面，晶体管与二极管相比，即使是小型也能够达到低消耗电力，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n晶体管，其具有第1端、第2端和控制所述第1端与所述第2端之间的导通的控制端；/n二极管，其连接于所述第1端与所述控制端之间；和/n封装，其内部包含所述晶体管和所述二极管，/n在所述封装的四边形的第1面配置有与所述晶体管的所述第1端、所述第2端和所述控制端分别连接的第1端子、第2端子、控制端子，/n所述控制端子配置在所述第1面的第1边的第1角，/n所述第1端子配置在所述第1边的第2角，/n所述第2端子为三角形形状，配置在与所述第1边相对的第2边的中央部。/n

【技术特征摘要】
20160518 JP 2016-099748;20170413 JP 2017-0799931.一种半导体器件，其特征在于，包括：
晶体管，其具有第1端、第2端和控制所述第1端与所述第2端之间的导通的控制端；
二极管，其连接于所述第1端与所述控制端之间；和
封装，其内部包含所述晶体管和所述二极管，
在所述封装的四边形的第1面配置有与所述晶体管的所述第1端、所述第2端和所述控制端分别连接的第1端子、第2端子、控制端子，
所述控制端子配置在所述第1面的第1边的第1角，
所述第1端子配置在所述第1边的第2角，
所述第2端子为三角形形状，配置在与所述第1边相对的第2边的中央部。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述封装包含俯视时为长方形形状的封装，
所述第1边和所述第2边包含沿着所述封装的长度方向的周缘部。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：
当将以所述第2边的一端角部的顶点为中心且以所述封装的短边的长度为半径的第1圆弧，和以所述第2边的另一端角部的顶点为中心且以所述封装的短边的长度为半径的第2圆弧，描绘于所述封装的所述表面时，
所述第2端子配置在所述第1圆弧的外侧区域且所述第2圆弧的外侧区域。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1圆弧和所述第2圆弧具有在所述封装上的区域中相互交叉的大小，
所述第2端子形成为以从所述第1圆弧与所述第2圆弧的交点向所述第1圆弧和所述第2圆弧分别引出的一对切线为两边的三角形形状。


5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于：
所述控制端子形成为与所述第1圆弧具有同一中心的扇形形状。


6.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1端子形成为与...

【专利技术属性】
技术研发人员：那须贤太郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP