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本发明提供一种半导体器件，包括：半导体层，其具有包含p型源极区域、p型漏极区域、所述p型源极区域与所述p型漏极区域之间的n型基体区域、和与所述n型基体区域相对的栅极电极的晶体管结构；设置于所述半导体层的恒压二极管，具有与所述p型源极区域连接...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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