薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备技术

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度，使得沟道区的宽度增大，从而在沟道区长度保持一定的情况下，能够增大沟道区的面积，能够提高薄膜晶体管中电子迁移率，进而能够提高薄膜晶体管中开态电流，能够保障薄膜晶体管的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备
本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)由于具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，因而被广泛应用于手机、平板、电脑显示器、电视等电子显示设备中。随着显示技术的发展，应用有TFT的显示面板的大型化和高分辨率是现在的主要发展方向之一，为了提高显示面板的分辨率，应该尽可能减小显示面板中TFT，随着TFT的减小，TFT中有源结构的沟道区的面积也会相应减小，而沟道区面积的减小会导致TFT中电子迁移率的降低，从而降低TFT中开态电流，影响TFT的工作性能。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备，用以解决现有技术中显示面板的TFT沟道区面积减小，导致TFT的开态电流降低的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：基板；有源结构，位于基板的一侧；有源结构包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，在平行于基板的方向上，第一导体化区位于沟道区的一侧，第二导体化区位于沟道区的另一侧，第一导体化区在第二导体化区处的投影，与第二导体化区至少部分重合；沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度。第二个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括上述第一个方面所提供的薄膜晶体管。第三个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括上述第一个方面所提供的薄膜晶体管，或者，包括上述第二个方面所提供的阵列基板。第四个方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括上述第二个方面所提供的阵列基板，或者，上述第三个方面所提供的显示面板。第五个方面，本申请实施例提供了一种制备上述第一个方面所提供的薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板的一侧制备有源层；图案化有源层得到初始的有源结构；导体化处理初始的有源结构的设计区域，得到有源结构的第一导体化区和第二导体化区，未被导体化处理的区域为有源结构的沟道区，在平行于基板的方向上，第一导体化区位于沟道区的一侧，第二导体化区位于沟道区的另一侧，第一导体化区在第二导体化区处的投影，与第二导体化区至少部分重合；使得沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度。本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度，使得沟道区的宽度增大，从而在沟道区长度保持一定的情况下，能够增大沟道区的面积，能够提高薄膜晶体管中电子迁移率，进而能够提高薄膜晶体管的开态电流，能够保障薄膜晶体管的工作性能。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本申请实施例提供的图1所示薄膜晶体管的第一导体化区的结构示意图；图3为本申请实施例提供的图1所示薄膜晶体管的沟道区的结构示意图；图4为本申请实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图5为本申请实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；图6为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法中的流程示意图。附图标记说明：10-基板；20-有源结构；21-沟道区；211-第一子沟道区；212-第二子沟道区；213-第三子沟道区；22-第一导体化区；221-第一子导体化区；222-第二子导体化区；23-第二导体化区；30-栅极绝缘结构；40-栅极结构；50-缓冲层；60-遮光层；70-电极。具体实施方式下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：沟道区的长度为源极和漏极的距离，沟道区的宽度为垂直于长度方向上、沟道区的尺寸。本申请的专利技术人进行研究发现，随着显示面板分辨率的提高，显示面板中单个TFT所占的面积会相应减少，从而导致TFT中有源结构中沟道区面积的减小，而沟道区中宽度和长度的比值变化，会影响TET中源极和漏极之间的电子迁移率，进而影响TET的开态电流。目前，由于当前工艺条件的限制，沟道区的长度难以进一步缩短，从而使得TFT中电子迁移率的降低，从而降低TFT中开态电流，影响TFT的工作性能。本申请提供的薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管的结构示意图如图1所示，包括：基板10；有源结构20，位于基板10的一侧；有源结构20包括沟道区21、第一导体化区22和第二导体化区23，在平行于基板10的方向上，第一导体化区22位于沟道区21的一侧，第二导体化区23位于沟道区21的另一侧，第一导体化区22在第二导体化区23处的投影，与第二导体化区23至少部分重合；沟道区21中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区22中与沟道区21接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区23与沟道区21接触的子导体化区的宽度。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，在平行于基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n有源结构，位于所述基板的一侧；所述有源结构包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，在平行于所述基板的方向上，所述第一导体化区位于所述沟道区的一侧，所述第二导体化区位于所述沟道区的另一侧，所述第一导体化区在所述第二导体化区处的投影，与所述第二导体化区至少部分重合；所述沟道区中至少部分区域的宽度，大于所述第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于所述第二导体化区与所述沟道区接触的子导体化区的宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
有源结构，位于所述基板的一侧；所述有源结构包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，在平行于所述基板的方向上，所述第一导体化区位于所述沟道区的一侧，所述第二导体化区位于所述沟道区的另一侧，所述第一导体化区在所述第二导体化区处的投影，与所述第二导体化区至少部分重合；所述沟道区中至少部分区域的宽度，大于所述第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于所述第二导体化区与所述沟道区接触的子导体化区的宽度。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导体化区包括与所述沟道区接触的第一边界线，所述第二导体化区包括与所述沟道区接触的第二边界线，所述沟道区中至少部分区域的宽度，大于所述第一边界线的尺寸且大于所述第二边界线的尺寸。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区在所述基板上的正投影形状包括十字形、T字形和分叉型中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区包括第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区；
在平行于所述基板的方向上，所述第二子沟道区位于所述第一子沟道区的一侧，所述第三子沟道区位于所述第一子沟道区的另一侧，且所述第二子沟道区在所述第三子沟道区处的投影，与所述第三子沟道区至少部分重合。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源结构远离所述基板的一侧设置有栅极绝缘结构，所述栅极绝缘结构远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迎宾，赵策，王明，丁远奎，王庆贺，仵康康，闫梁臣，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34