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本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度，使得...该专利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。