显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提出了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；其中，第一薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括第一沟道部以及位于第一沟道部两侧的第一导体部；遮蔽构件至少包括位于第一有源层上的第一遮蔽层，第一遮蔽层与第一导体部具有第一重叠部分。本申请通过遮蔽构件的设置，利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散，提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示面板的产品质量。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着人们对显示面板的品质需求的提升，如何改善显示面板的产品质量是显示面板的一大改进方向。现有的显示面板中的薄膜晶体管，尤其是氧化物薄膜晶体管，在制造中涉及多步高温制程，使显示面板中其他膜层，如平坦化层、绝缘层等中的氢元素扩散至有源层中，影响有源层中氧元素的掺杂比例，导致薄膜晶体管的性能降低、薄膜晶体管的稳定性难以提高。因此，亟需一种显示面板及显示装置以解决上述技术问题。
技术实现思路
本申请提供了一种显示面板及显示装置，用于解决显示面板的薄膜晶体管在高温制程中由于氢元素扩散至有源层导致薄膜晶体管性能受影响且稳定性难以提高的问题。为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供了一种显示面板，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部；所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极，所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一遮蔽层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部与所述第一遮蔽层电连接；或者，所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一有源层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部电连接，所述第一接触部贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极之间的膜层。本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一栅极，所述第一遮蔽层与所述第一栅极同层设置，所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧，所述第一遮蔽层与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。本申请提供的显示面板中，所述第一遮蔽层包括第一开口，所述第一接触部贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层，并与所述第一导体部电连接。本申请提供的显示面板中，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层上的第二遮蔽层，所述第二遮蔽层与所述第一源漏极层同层设置，所述第二遮蔽层与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置；或者，所述第二遮蔽层与所述第一源极或所述第一漏极一体设置。本申请提供的显示面板中，所述第二遮蔽层的宽度大于或等于位于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层的间距。本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第二栅极，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第三遮蔽层；其中，所述第三遮蔽层与所述第一导体部具有第二重叠部分，位于所述第一沟道部至少一侧的所述第一导体部对应的所述第三遮蔽层与所述第二栅极一体设置。本申请提供的显示面板中，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一薄膜晶体管一侧的第二薄膜晶体管以及第一连接部，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部以及位于所述第二沟道部两侧的第二导体部；其中，所述第一连接部位于所述第一导体部与所述第二导体部之间，所述第一导体部与所述第二导体部通过所述第一连接部与所述第三遮蔽层电连接。本申请提供的显示面板中，第二有源层靠近所述第一薄膜晶体管一侧的第二导体部与所述第三遮蔽层和/或所述第二栅极一体设置。本申请还提供一种显示装置，包括如前所述的显示面板。有益效果：本申请通过遮蔽构件的设置，利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散，提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示面板的产品质量。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请的显示面板的第一种结构示意图。图2为本申请的显示面板的第二种结构示意图。图3为本申请的显示面板的第三种结构示意图。图4为本申请的显示面板的第四种结构示意图。图5为本申请的显示面板的第五种结构示意图。图6为本申请的显示面板的第六种结构示意图。图7为本申请的显示面板的第七种结构示意图。图8为本申请的显示面板的第八种结构示意图。图9为本申请的显示面板的第九种结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。现有的显示面板的薄膜晶体管由于高温制程导致其他膜层的氢元素向有源层扩散，存在薄膜晶体管的性能和稳定性受影响的问题。基于此，本申请提出了一种显示面板及显示装置。请参阅图1至图9，所述显示面板100包括衬底101以及位于所述衬底101上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件。其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层103，所述第一有源层103包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部。所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层103上的第一遮蔽层102，所述第一遮蔽层102与所述第一导体部具有第一重叠部分。本申请通过所述遮蔽构件的设置，利用所述第一遮蔽层102阻挡来自所述第一遮蔽层102上的其他膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高了所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了所述显示面板100的产品质量。现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。实施例一请参阅图1至图4，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层103上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部105以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极108。本实施例中，所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一遮蔽层102之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105与所述第一遮蔽层102电连接。或者，所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一有源层103之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接，所述第一接触部105贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极108之间的膜层。由于所述第一接触部105的形成需要首先在制程中形成贯穿所述第一有源层103上的多个膜层的过孔，然后在过孔内沉积所述第一源漏极层的材料，当所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接时，形成的孔较深、贯穿膜层较多，易导致所述第一接触部105的断裂；通过使所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105以及所述第一遮蔽层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；/n其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部；/n所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部；
所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极，所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一遮蔽层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部与所述第一遮蔽层电连接；或者，
所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一有源层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部电连接，所述第一接触部贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极之间的膜层。


3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一栅极，所述第一遮蔽层与所述第一栅极同层设置，所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧，所述第一遮蔽层与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。


4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮蔽层包括第一开口，所述第一接触部贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层，并与所述第一导体部电连接。


5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄茜，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42