薄膜晶体管、阵列基板与显示面板制造技术

本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板，该薄膜晶体管包括：基板、缓冲层、栅极、遮挡层、栅绝缘层、有源层与源漏导电层，缓冲层设于基板一侧；栅极设于缓冲层背离基板的一侧，缓冲层在基板上的正投影包括与栅极在基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于重叠部分以外的非重叠部分；遮挡层设于缓冲层背离基板的一侧，且在栅极在基板上的正投影至少覆盖部分缓冲层在基板上正投影中的非重叠部分；栅绝缘层于栅极背离基板的一侧，且在基板上的正投影覆盖缓冲层、栅极及遮挡层在基板上的正投影；有源层设于栅绝缘层背离基板的一侧；源漏导电层设于有源层背离基板的一侧。本公开提供的薄膜晶体管，避免了光照穿过缓冲层导致有源层出现漏电流。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板与显示面板
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板。
技术介绍
TFT-LCD(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)作为具有高显示效果、低能耗的显示装置，备受人们的青睐。为了满足市场对LCD的需求，面板厂需不断提升自身产能，而1+4Mask产品将转0+4Mask设计，即ITO与Gate层共用一张Mask，预计可提升TV产能约20％左右。因此，0+4Mask技术导入量产成为必然。然而，1+4Mask产品将转0+4Mask设计，会导致出现硅岛漏电流的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板，能够避免光照穿过缓冲层导致有源层出现漏电流。根据本公开的一个方面，提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，设于所述基板一侧；栅极，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，所述缓冲层在所述基板上的正投影包括与所述栅极在所述基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于所述重叠部分以外的非重叠部分；遮挡层，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影至少覆盖部分所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分；栅绝缘层，设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；有源层，设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；源漏导电层，设于所述有源层背离所述基板的一侧。在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分。在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层及栅极在所述基板上的正投影。在本公开的一种示例性实施例中，所述缓冲层在所述基板上的正投影覆盖所述栅极在所述基板上的正投影。在本公开的一种示例性实施例中，所述栅绝缘层包括：第一子栅绝缘层，设于所述基板的一侧，并包括开孔区，所述盖所述缓冲层、栅极及遮挡层位于所述开孔区中；第二子栅绝缘层，设于所述第一子栅绝缘层背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；所述有源层设于所述第二子栅绝缘层背离所述基板的一侧。在本公开的一种示例性实施例中，所述开孔区的侧壁上至少部分区域覆盖有所述遮挡层。在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层为金属遮挡层。在本公开的一种示例性实施例中，在所述遮挡层背离所述基板的方向上，所述遮挡层的厚度为根据本公开的另一个方面，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述的薄膜晶体管。根据本公开的再一个方面，提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。本公开提供的薄膜晶体管，通过设置遮挡层，且遮挡层且在栅极在基板上的正投影至少覆盖部分缓冲层在基板上正投影中的非重叠部分，即覆盖部分缓冲层未被栅极覆盖的部分，遮挡层与栅极配合形成了缓冲层的覆盖，从而避免了薄膜晶体管应用与显示面板时，背光源的光线通过缓冲层照射到有源层上，导致有源层在光照下产生漏电流，从而提高应用该薄膜晶体管的显示面板的可靠性和产品良率，使显示面板可采用0+4Mask工艺进行制造。此外，通过设置遮挡层，能够避免有源层产生电迁移或金属(例如Cu)扩散，从而改善栅线和数据线短接(DGS)不良。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开的一种实施例提供的薄膜晶体管的示意图；图2-图12为图1的实施例提供的薄膜晶体管的制造工序图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。目前，为了提升面板工厂的产能，1+4Mask产品转0+4Mask设计，即ITO(氧化铟锡)层与Gate(栅极)层共用一张Mask(掩模)。然而，0+4Mask工艺始终有ITO层Tail(未被Gate覆盖的部分，单边宽度约为1.2μm-1.5μm)的存在。由于ITO与Gate均导电，为了不增加Panel(面板)负载，Gate+ITOTail的总线宽应与1+4Mask工艺的Gate线宽一致，即0+4MaskGate金属线较1+4Mask的更窄，使得上层的硅岛距离Gate边缘更近，Gate层金属遮光作用被消减，最终光照导致硅岛漏电流偏高。本公开的实施例首先提供了一种薄膜晶体管，如图1所示，该薄膜晶体管包括：基板10、缓冲层20、栅极30、遮挡层50、栅绝缘层40、有源层60与源漏导电层70，缓冲层20设于基板10一侧；栅极30设于缓冲层20背离基板10的一侧，缓冲层20在基板10上的正投影包括与栅极30在基板10上的正投影重叠的重叠部分以及位于重叠部分以外的非重叠部分；遮挡层50设于缓冲层20背离基板10的一侧，且在栅极30在基板10上的正投影至少覆盖部分缓冲层20在基板10上正投影中的非重叠部分；栅绝缘层40于栅极30背离基板10的一侧，且在基板10上的正投影覆盖缓冲层20、栅极30及遮挡层50在基板10上的正投影；有源层60设于栅绝缘层40背离基板10的一侧；源漏导电层70设于有源层60背离基板10的一侧。本公开提供的薄膜晶体管，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n缓冲层，设于所述基板一侧；/n栅极，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，所述缓冲层在所述基板上的正投影包括与所述栅极在所述基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于所述重叠部分以外的非重叠部分；/n遮挡层，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影至少覆盖部分所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分；/n栅绝缘层，设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；/n有源层，设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；/n源漏导电层，设于所述有源层背离所述基板的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
缓冲层，设于所述基板一侧；
栅极，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，所述缓冲层在所述基板上的正投影包括与所述栅极在所述基板上的正投影重叠的重叠部分以及位于所述重叠部分以外的非重叠部分；
遮挡层，设于所述缓冲层背离所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影至少覆盖部分所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分；
栅绝缘层，设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层、栅极及遮挡层在所述基板上的正投影；
有源层，设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；
源漏导电层，设于所述有源层背离所述基板的一侧。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮挡层在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层在所述基板上的正投影中的所述非重叠部分。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮挡层设于所述栅极背离所述基板的一侧，且在所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述缓冲层及栅极在所述基板上的正投影。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，吴旭，谌伟，宁智勇，黄中浩，高坤坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11