二极管制造技术

本申请实施例提供了一种二极管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管，能够降低二极管的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
二极管
本申请属于半导体
，尤其涉及一种二极管。
技术介绍
二极管作为最早诞生的半导体器件之一，应用非常广泛。例如在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。随着科技和经济的蓬勃发展，二极管的需求量也越来越大。那么，相应地便需要考虑二极管的成本问题。现有的二极管的生产过程中，通常使用一些价格较为昂贵的晶圆来作为生产二极管的原料，例如背面扩散晶圆(backdiffusedwafer，简称BDwafer)，由于原料价格昂贵，致使二极管的生产成本居高不下。
技术实现思路
本申请实施例提供一种二极管，能够解决现有的二极管的生产成本高昂的技术问题。第一方面，本申请实施例提供一种二极管，二极管包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。在一个实施例中，所述二极管还包括：第二导电类型的浮空场限环，所述浮空场限环由第二表面向衬底内部延伸设置、且位于第二导电类型阱区周围。在一个实施例中，所述二极管还包括：第一导电类型的电场截止环，所述电场截止环由所述第二表面向所述衬底内部延伸设置、且位于所述第二导电类型阱区周围。在一个实施例中，所述二极管包括耐压值大于或等于800V的二极管。在一个实施例中，第二导电类型阱区为在去除目标厚度的衬底的第二表面上形成。在一个实施例中，所述目标厚度大于或等于所述第一导电类型阱区的深度。在一个实施例中，所述二极管还包括：位于所述第二表面上的氧化层，所述氧化层覆盖所述第一导电类型电场截止环和部分所述第二导电类型阱区。在一个实施例中，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。在另一个实施例中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。本申请实施例的二极管，包括：第一导电类型的衬底，衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法；位于衬底的第一表面上的第一导电类型阱区，位于衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于第一导电类型阱区上的第一电极层，位于第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，第一导电类型和第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。由于本申请实施例的衬底选用的块bulk晶圆或者由中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法中的任意一种方法制成的晶圆的加工工艺简单、价格低廉，所以利用上述晶圆生产的二极管的成本也会降低，即能够降低二极管的生产成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例的二极管的截面结构示意图；图2示意性示出了本申请实施例的衬底。具体实施方式下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指的是直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。现有的二极管的生产过程中，通常使用一些价格较为昂贵的晶圆来作为生产二极管的原料，例如背面扩散晶圆(backdiffusedwafer，简称BDwafer)，由于原料价格昂贵，致使二极管的生产成本居高不下。为了解决现有技术问题，本申请实施例提供了一种二极管。本申请实施例的技术构思在于：二极管的衬底选用块(bulk)晶圆或者由中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法中的任意一种方法制成的晶圆。由于这些晶圆的加工工艺简单、价格低廉，所以利用这些晶圆生产的二极管的成本也会降低，即能够降低二极管的生产成本。下面对本申请实施例所提供的二极管进行介绍。图1为本申请实施例的二极管的截面结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的二极管可以包括：第一导电类型的衬底100，衬底100包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于衬底的第一表面上的第一导电类型阱区101；位于衬底的第二表面上的第二导电类型阱区102；位于第一导电类型阱区上的第一电极层103；位于第二导电类型阱区上的第二电极层104；其中，第一导电类型和第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。在本申请实施例中，衬底100可以包括块(bulk)晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法(Neutrontransmutationdoping，简称NTD)、直拉法(CzochralskiMethod，简称CZ)、区熔法(FloatingzoneMethod，简称FZ)、直拉区熔法CFZ和磁控拉晶法(Magnetic-fieldappliedczochralskiMethod，简称MCZ)。与现有采用的晶圆(例如背面扩散晶圆)相比，这些晶圆的加工工艺简单、价格低廉，所以利用这些晶圆生产的二极管的成本也会降低。图2示意性示出了本申请实施例的衬底，如图2所示，衬底100上例如可以有晶圆自带的氧化层，衬底100包括相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管，其特征在于，所述二极管包括：/n第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；/n位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；/n位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；/n位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；/n位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；/n其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。/n

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，所述二极管包括：
第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；
位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；
位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；
位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；
位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；
其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。


2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
第二导电类型的浮空场限环，所述浮空场限环由第二表面向衬底内部延伸设置、且位于第二导电类型阱区周围。


3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
第一导电类型的电场截止环，所述电场截止环由所述第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹江龙，章剑锋，向军利，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36