薄膜沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种薄膜沉积装置，其具有腔体、载台、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述载台用以承载基板，而挡件则防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件与挡件直接或间接卡合，且遮蔽件高于挡件并用以遮蔽挡件，以代替挡件盛接部分未沉积于基板的靶材原子。如此，可避免靶材原子沉积于挡件并形成薄膜，进而防止受热而流动的薄膜自挡件流动到挡件与基板的接触处所造成的黏片问题。造成的黏片问题。造成的黏片问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积装置


[0001]本专利技术关于一种薄膜沉积装置，尤其指一种利用遮蔽件来避免靶材原子于挡件上形成薄膜，以防止受热的薄膜自挡件流动到挡件与基板的接触处而造成黏片的一种薄膜沉积装置。

技术介绍

[0002]在集成电路制程中，通常需要进行高温热处理的薄膜沉积制程，例如化学气相沉积制程(CVD)及物理气相沉积制程(PVD)。薄膜沉积制程是使基板在高温的热处理下，使靶材原子于基板表面形成薄膜。
[0003]然而在基板的表面形成薄膜的过程中，薄膜的材料会因为温度的累积及热应力的影响，而在基板上形成缺陷，例如凸起或小山丘(hillock)。特别是当薄膜的厚度较大时，温度的累积将会愈多，而更容易在基板上形成缺陷，进而影响产品的良率及可靠度。
[0004]为了解决上述的问题，一种方法是使用静电吸盘(Electrostatic Chuck、ESC)取代传统的载台。在沉积制程中，静电吸盘透过静电力吸附基板，并使用冷却气体吹向静电吸盘上的基板，以降低基板的温度及减少基板的温度累积，并降低热应力的影响。然而静电吸盘的造价昂贵并容易损坏，相较于传统的载台会大幅增加沉积制程的成本。
[0005]另有一种方法为，在沉积制程中，使用挡件将基板固定在载台，并输送冷却气体到载台与基板之间，以降低基板的温度。然而靶材原子也会沉积于挡件并形成薄膜，当制程中的温度累积愈多时，挡件上的薄膜将会融化并流动到基板或挡件与基板的接触处，造成基板与挡件彼此黏附，且使脏污形成于基板，进而降低产品的良率及可靠度。

技术实现思路

>[0006]因此，为了克服现有技术的不足处，本专利技术实施例提供一种薄膜沉积装置，系在固定基板之挡件的上方设置遮蔽件。所述遮蔽件可代替挡件盛接部分的靶材原子，藉此降低靶材原子沉积于挡件的机率，进而减少脏污形成于基板及降低基板黏附于挡件的机率。
[0007]基于前述目的的至少其中之一者，本专利技术实施例提供之薄膜沉积装置包括腔体、载台、插销、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述腔体具有容置空间，而载台位于容置空间内并用以承载至少一基板。所述挡件位于容置空间内，且挡件的上表面具有第一凹部，而挡件用以防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件高于挡件，且遮蔽件的下表面具有第二凹部。所述插销卡合于挡件的第一凹部与遮蔽件的第二凹部，使遮蔽件透过插销连接挡件。
[0008]可选地，所述遮蔽件还包括凹槽，而凹槽位于遮蔽件的上表面。
[0009]可选地，透过置换不同长度的插销以调整遮蔽件与挡件之间的距离。
[0010]可选地，所述薄膜沉积装置还包括至少一冷却循环通道且接触挡件。所述冷却循环通道用以输送冷却流体，以降低挡件的温度。
[0011]基于前述目的的至少其中之一者，本专利技术实施例提供之膜沉积装置包括腔体、载台、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述腔体具有容置空间，而载台位于容置空间内，并用以
承载至少一基板。所述挡件位于容置空间内，且挡件的上表面具有第一凹部，而挡件用以防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件高于挡件，且遮蔽件的下表面具有第一凸部。所述挡件的第一凹部与遮蔽件的第一凸部对应地卡合，使遮蔽件连接挡件。
[0012]可选地，所述遮蔽件还包括凹槽，而凹槽位于遮蔽件的上表面。
[0013]可选地，所述薄膜沉积装置还包括至少一冷却循环通道且接触挡件。所述冷却循环通道用以输送冷却流体，以降低挡件的温度。
[0014]基于前述目的的至少其中之一者，本专利技术实施例提供之膜沉积装置包括腔体、载台、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述腔体具有容置空间，而载台位于容置空间内，并用以承载至少一基板。所述挡件位于容置空间内，且挡件的上表面具有第二凸部，而挡件用以防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件高于挡件，且遮蔽件的下表面具有第二凹部。所述挡件的第二凸部与遮蔽件的第二凹部对应地卡合，使遮蔽件连接挡件。
[0015]可选地，所述遮蔽件还包括凹槽，而凹槽位于遮蔽件的上表面。
[0016]可选地，所述薄膜沉积装置还包括至少一冷却循环通道且接触挡件。所述冷却循环通道用以输送冷却流体，以降低挡件的温度。
[0017]简言之，本专利技术实施例提供的薄膜沉积装置可透过遮蔽件盛接部分的靶材原子，以减少靶材原子对挡件的沉积，进而减少沉积时对基板造成的缺陷，故于对薄膜沉积有需求的市场具有优势。
附图说明
[0018]图1是本专利技术实施例的薄膜沉积装置的示意图。
[0019]图2是本专利技术另一实施例的薄膜沉积装置的示意图。
[0020]图3是本专利技术又一实施例的薄膜沉积装置的示意图。
[0021]图4是本专利技术再一实施例的薄膜沉积装置的示意图。
[0022]附图标记说明：1、2、3、4
‑
薄膜沉积装置；11
‑
腔体；12
‑
冷却循环通道；13
‑
载台；14
‑
靶材遮板；15、25
‑
挡件；151、251
‑
主体；153、253
‑
盖环；15a
‑
第一凹部；17、27
‑
遮蔽件；171、271
‑
凹槽；17a
‑
第二凹部；19
‑
插销；25b
‑
第二凸部；27b
‑
第一凸部；37
‑
第二遮蔽件；371
‑
第二连接部；373
‑
第二遮蔽部；3731
‑
凸起部分；3733
‑
第二凹槽；S
‑
容置空间；W
‑
基板。
具体实施方式
[0023]为充分了解本专利技术的目的、特征及功效，兹藉由下述具体的实施例，并配合所附的图式，对本专利技术做一详细说明，说明如后。
[0024]首先，请参照图1，图1是本专利技术实施例的薄膜沉积装置的示意图。如图1所示，薄膜沉积装置1具有腔体11、载台13、至少一个挡件15与至少一个遮蔽件17。所述腔体11具有容置空间S，而载台13与挡件15位于腔体11的容置空间S内，其中载台13用以承载至少一基板W，而挡件15连接腔体15并用以接触载台13上的基板W，以将基板W固定在载台13上。再者，挡件15用以防止载台13上的基板W的背镀。
[0025]具体而言，挡件15具有主体151与盖环153，主体151的一端连接腔体11的内壁，而盖环153形成一圆盘状空间。载台13则位于挡件15形成的圆盘状空间的垂直延伸位置。当载台13靠近挡件15时，挡件15的盖环153会接触载台13上的基板W，以防止基板W从载台13上掉
落或脱离。在一个实施例中，挡件15的主体151与盖环153也可以为一体成形的设计。
[0026]在薄膜沉积制程中，基板W的表面会形成薄膜。以物理气相沉积(PVD)的溅镀(sputter deposition)为例，通常会在腔体11的内部设置一靶材T，并在靶材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一载台，位于所述容置空间内，并用以承载至少一基板；至少一挡件，位于所述容置空间内，且具有第一凹部位于所述挡件的上表面，而所述挡件用以防止所述载台上的所述基板的背镀；至少一遮蔽件，高于所述挡件，且具有第二凹部位于所述遮蔽件的下表面；及一插销，卡合于所述挡件的所述第一凹部与所述遮蔽件的所述第二凹部，使所述遮蔽件透过所述插销连接该挡件。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，其中所述遮蔽件还包括凹槽位于所述遮蔽件的上表面。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，其中透过置换不同长度的所述插销以调整所述遮蔽件与所述挡件之间的距离。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括至少一冷却循环通道接触所述挡件，所述冷却循环通道用以输送冷却流体，以降低所述挡件的温度。5.一种薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一载台，位于所述容置空间内，并用以承载至少一基板；至少一挡件，位于所述容置空间内，且具有第一凹部位于所述挡件的上表面，而所述挡件用以防止所述载台上的所述基板的背镀；及至少一遮蔽件，高于所述挡件，且具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：