薄膜沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种薄膜沉积装置，其具有腔体、载台、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述载台用以承载基板，而挡件则防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件与挡件直接或间接卡合，且遮蔽件高于挡件并用以遮蔽挡件，以代替挡件盛接部分未沉积于基板的靶材原子。如此，可避免靶材原子沉积于挡件并形成薄膜，进而防止受热而流动的薄膜自挡件流动到挡件与基板的接触处所造成的黏片问题。造成的黏片问题。造成的黏片问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积装置


[0001]本专利技术关于一种薄膜沉积装置，尤其指一种利用遮蔽件来避免靶材原子于挡件上形成薄膜，以防止受热的薄膜自挡件流动到挡件与基板的接触处而造成黏片的一种薄膜沉积装置。

技术介绍

[0002]在集成电路制程中，通常需要进行高温热处理的薄膜沉积制程，例如化学气相沉积制程(CVD)及物理气相沉积制程(PVD)。薄膜沉积制程是使基板在高温的热处理下，使靶材原子于基板表面形成薄膜。
[0003]然而在基板的表面形成薄膜的过程中，薄膜的材料会因为温度的累积及热应力的影响，而在基板上形成缺陷，例如凸起或小山丘(hillock)。特别是当薄膜的厚度较大时，温度的累积将会愈多，而更容易在基板上形成缺陷，进而影响产品的良率及可靠度。
[0004]为了解决上述的问题，一种方法是使用静电吸盘(Electrostatic Chuck、ESC)取代传统的载台。在沉积制程中，静电吸盘透过静电力吸附基板，并使用冷却气体吹向静电吸盘上的基板，以降低基板的温度及减少基板的温度累积，并降低热应力的影响。然而静电吸盘的造价昂贵并容易损坏，相较于传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一载台，位于所述容置空间内，并用以承载至少一基板；至少一挡件，位于所述容置空间内，且具有第一凹部位于所述挡件的上表面，而所述挡件用以防止所述载台上的所述基板的背镀；至少一遮蔽件，高于所述挡件，且具有第二凹部位于所述遮蔽件的下表面；及一插销，卡合于所述挡件的所述第一凹部与所述遮蔽件的所述第二凹部，使所述遮蔽件透过所述插销连接该挡件。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，其中所述遮蔽件还包括凹槽位于所述遮蔽件的上表面。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，其中透过置换不同长度的所述插销以调整所述遮蔽件与所述挡件之间的距离。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括至少一冷却循环通道接触所述挡件，所述冷却循环通道用以输送冷却流体，以降低所述挡件的温度。5.一种薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一载台，位于所述容置空间内，并用以承载至少一基板；至少一挡件，位于所述容置空间内，且具有第一凹部位于所述挡件的上表面，而所述挡件用以防止所述载台上的所述基板的背镀；及至少一遮蔽件，高于所述挡件，且具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：