一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法技术

本发明专利技术适用于高通量掩膜版技术领域，提供了一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度；通过将所述梯形掩膜版移动在所述单孔掩膜版上能够溅射薄膜到基片上，在将梯形掩膜版不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，三个方向上的梯度组合形成不同的材料，从而提高了材料的制备效率；本发明专利技术提高了高通量材料的制造效率，节约成本，结构简单，适用范围广。适用范围广。适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法


[0001]本专利技术属于高通量掩膜版
，尤其涉及一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法。

技术介绍

[0002]传统的制备材料的方法是采用试错的方法，也就是通过控制变量的方法每次改变成分、温度、气压中某个实验工艺条件制备出不同的材料样本，通过测试从中筛选出合适的材料。制备效率过低，制备成本高，适用范围小。
[0003]本专利技术提出一种利用镀膜掩膜版实验高通量制备材料的方法。一次性制备一组样品，提高制备效率，降低制备成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法，旨在解决现有高通量材料制备效率低的问题。
[0005]本专利技术是这样实现的，一种高通量掩膜版，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度。
[0006]更进一步地，所述基片上设置有薄膜生长区域，所述单孔掩膜版的孔对应设置在所述薄膜生长区域内。
[0007]更进一步地，所述梯形掩膜版移动时控制梯度的边的方向不同，用于控制不同方向上的梯度。
[0008]更进一步地，所述第一梯形孔的长边与所述第二梯形孔的短边处在同一直线上。
[0009]更进一步地，所述单孔掩膜版上的孔为方形结构。
[0010]更进一步地，所述单孔掩膜版上的孔和所述第一梯形孔和所述第二梯形孔的交集随着所述梯形掩膜版的运动在三个方向上单调变化，两所述梯形掩膜版斜边和第一个梯形竖边的移动方向互相形成60
°
的夹角。
[0011]本专利技术还提供了一种高通量薄膜制造设备，包括：靶材、基片、激光发射装置以及如上述的高通量掩膜版，所述高通量掩膜版设置在所述靶材上方，通过所述激光发射装置发射激光到所述靶材上，用于溅射所述靶材到所述高通量掩膜版的基片上形成薄膜。
[0012]本专利技术还提供了一种高通量薄膜制造方法，包括步骤：
[0013]S1、通过将单孔掩膜版与基片固定；
[0014]S2、将梯形掩膜版设置在所述单孔掩膜版上，并使所述梯形掩膜版的一端与所述单孔掩膜版的孔一侧对应设置，其中，所述梯形掩膜版上设置多个梯形孔；
[0015]S3、切换到靶材A，将所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版的孔上移动会溅射薄膜到所述基片上以形成第一个方向上的薄膜厚度梯度；
[0016]S4、切换到靶材B，继续移动所述梯形掩膜版形成第二个方向上的薄膜厚度梯度；
[0017]S5、切换到靶材C，继续移动所述梯形掩膜版形成第三个方向上的薄膜厚度梯度。
[0018]更进一步地，所述多个梯形孔包括第一梯形孔和第二梯形孔。
[0019]更进一步地，还包括步骤：
[0020]通过移动所述基片使单孔掩膜版固定到基片的另一个位置上；
[0021]重复所述S1
‑
S5步骤。
[0022]与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果：通过将单孔掩膜版设置在基片上，而梯形掩膜版设置在单孔掩膜版上，由于所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过将所述梯形掩膜版移动在所述单孔掩膜版上能够溅射薄膜到基片上，在将梯形掩膜版不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，三个方向上的梯度组合形成不同的材料，从而提高了材料的制备效率。
附图说明
[0023]图1是本专利技术提供的一种高通量掩膜版的结构示意图；
[0024]图2是本专利技术提供的基片的结构示意图；
[0025]图3是本专利技术提供的单孔掩膜版和梯形掩膜版的安装结构示意图；
[0026]图4是本专利技术提供的一种高通量掩膜版的第一位置薄膜厚度梯度结构示意图；
[0027]图5是本专利技术提供的一种高通量掩膜版的第二位置薄膜厚度梯度结构示意图；
[0028]图6是本专利技术提供的一种高通量掩膜版的第三位置薄膜厚度梯度结构示意图；
[0029]图7是本专利技术提供的一种高通量薄膜制造设备的结构示意图；
[0030]图8是本专利技术提供的一种高通量薄膜制造设备制备的薄膜成分相图；
[0031]图9是本专利技术提供的一种高通量薄膜制造方法的方法流程图。
[0032]图中，1、基片，2、单孔掩膜版，3、梯形掩膜版，4、单孔掩膜版的孔，5、第一梯形孔，6、第二梯形孔，7、靶材，8、激光发射装置，9、薄膜生长区域，10、高通量掩膜版，11、第一个方向，12、第二个方向，13、第三个方向。
具体实施方式
[0033]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0034]本专利技术实施例通过将单孔掩膜版设置在基片上，而梯形掩膜版设置在单孔掩膜版上，由于所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过将所述梯形掩膜版移动在所述单孔掩膜版上能够溅射薄膜到基片上，在将梯形掩膜版不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，三个方向上的梯度组合形成不同的材料，从而提高了材料的制备效率。
[0035]实施例一
[0036]本专利技术提供了一种高通量掩膜版10，如图1
‑
3所示，包括：固定在基片1上的单孔掩膜版2、以及设置在单孔掩膜版2上的梯形掩膜版3，所述梯形掩膜版3上至少设有第一梯形孔5和第二梯形孔6，通过所述梯形掩膜版3在所述单孔掩膜版2上移动的方式溅射薄膜到所述基片1上形成薄膜厚度梯度。
[0037]具体的，通过将第一梯形孔5和第二梯形孔6的对应设置在的单孔掩膜版的孔4上，通过移动梯形掩膜版3以使第一梯形孔5和第二梯形孔6与单孔掩膜版2上的孔对应，便于在基片1上生长薄膜。
[0038]具体的，通过将单孔掩膜版2设置在基片1上，而梯形掩膜版3设置在单孔掩膜版2上，由于所述梯形掩膜版3上至少设有第一梯形孔5和第二梯形孔6，通过将所述梯形掩膜版3移动在所述单孔掩膜版2上能够溅射薄膜到基片1上，在将梯形掩膜版3不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，通过三个方向上的梯度组合形成不同的材料，便于提高高通量材料的制备效率。
[0039]具体的，由于梯形掩膜版3上的设置有第一梯形孔5和第二梯形孔6，在通过梯形掩膜版3在不断的移动过程中会生长不同的薄膜厚度梯度。如图4所示，当单孔掩膜版2与基片1固定后，将梯形掩膜版3放置到第一位置时，通过将梯形掩膜版3向右移动，生长薄膜A，梯形掩膜版3移动过程中会造成生长的薄膜厚度梯度A1。如图5所示，当梯形掩膜版3移动到第二位置时，通过将梯形掩膜版3向右移动，生长薄膜B，梯形掩膜版3移动过程中会造成生长的薄膜厚度梯度B1。如图6所示，当梯形掩膜版3移动到第三位置时，通过将梯形掩膜版3向右移动，生长薄膜C，梯形掩膜版3移动过程中会造成生长的薄膜厚度梯度C1。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高通量掩膜版，其特征在于，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在所述单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度。2.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述基片上设置有薄膜生长区域，所述单孔掩膜版的孔对应设置在所述薄膜生长区域内。3.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述梯形掩膜版移动时控制梯度的边的方向不同，用于控制不同方向上的梯度。4.如权利要求3所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述第一梯形孔的长边与所述第二梯形孔的短边处在同一直线上。5.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述单孔掩膜版上的孔为方形结构。6.如权利要求5所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述单孔掩膜版上的孔和所述第一梯形孔和所述第二梯形孔的交集随着所述梯形掩膜版的运动在三个方向分别单调变化，两所述梯形掩膜版斜边和第一个梯形竖边的移动方向互相形成60
°
的夹角。7.一种高通量薄膜制造设备，其特征在于，包括：靶材、基片、激光发...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓军，胡凯，姜鹭，方安安，陈志强，杨洪生，董帅，袁国亮，刘东方，尹曦，郑晓昊，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：