【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造,特别涉及一种基板制造方法及基板。
技术介绍
1、chiplet异质集成技术能够实现多尺度、多维度的芯片互连,从而提高电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供更小尺寸和更高性能的芯片。芯片的垂直方向互连依赖硅通孔(tsv)或玻璃通孔(tgv)等技术,水平方向上通过重布线系统(rdl)技术进行互连。
2、当前,tgv基板为小尺寸基板,基板厚度为0.3mm~1.1mm,当基板需求量较大时即需多次加工多个小尺寸tgv基板,加工效率低下导致加工成本较高。相关技术中,采取加工大尺寸tgv基板再将大尺寸tgv基板分割为多个小尺寸基板的方式即能够有效提升tgv基板加工效率。但当tgv基板厚度较薄时,在加工过程中基板容易发生碎片和翘曲,会影响基板的正常生产并增加加工成本。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提出一种基板制造方法及基板,旨在解决薄基板加工易碎和翘曲的技术问题。
2、为实现上述目的,本专利技术第一方面实施例提出一种基板制造方
...【技术保护点】
1.一种基板制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应,以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤中,包括:
3.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应,以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤前,包括:
4.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔的步骤中,包括:
5.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述填充所述通孔的步骤中,包
6...
【技术特征摘要】
1.一种基板制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应,以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤中,包括:
3.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应,以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤前,包括:
4.如权利要求1所述的基板制造方法,其特征在于,所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔的步骤中,包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:胡小波,张晓军,
申请(专利权)人:深圳市矩阵多元科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。