【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造，特别涉及一种基板制造方法及基板。
技术介绍
1、chiplet异质集成技术能够实现多尺度、多维度的芯片互连，从而提高电源效率并减小延迟，为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供更小尺寸和更高性能的芯片。芯片的垂直方向互连依赖硅通孔（tsv）或玻璃通孔（tgv）等技术，水平方向上通过重布线系统（rdl）技术进行互连。
2、当前，tgv基板为小尺寸基板，基板厚度为0.3mm~1.1mm，当基板需求量较大时即需多次加工多个小尺寸tgv基板，加工效率低下导致加工成本较高。相关技术中，采取加工大尺寸tgv基板再将大尺寸tgv基板分割为多个小尺寸基板的方式即能够有效提升tgv基板加工效率。但当tgv基板厚度较薄时，在加工过程中基板容易发生碎片和翘曲，会影响基板的正常生产并增加加工成本。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提出一种基板制造方法及基板，旨在解决薄基板加工易碎和翘曲的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术第一方面实施例提出一种基板制造方法，包括如下步骤：
3、利用光敏粘接层连接第一玻璃基板与第二玻璃基板，其中，所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板层叠；
4、使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔，填充所述通孔；
5、利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离，获取所述第一玻璃基板。
6、在一些实施例中，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第
7、利用激光照射所述第二玻璃基板背离所述第一玻璃基板的一侧，以使所述第二玻璃基板与所述光敏粘接层分离。
8、在一些实施例中，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤前，包括：
9、对所述第一玻璃基板背离所述第二玻璃基板的一侧进行芯片封装制程。
10、在一些实施例中，所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔的步骤中，包括：
11、使激光对所述第一玻璃基板进行诱导改性，利用hf溶液对所述第一玻璃基板进行刻蚀，以使所述第一玻璃基板沿所述厚度方向形成所述通孔。
12、在一些实施例中，所述填充所述通孔的步骤中，包括：
13、磁控溅射所述通孔以形成种子层，通过电镀将所述通孔填满铜体，移除所述通孔外围的所述种子层以得到铜柱。
14、在一些实施例中，所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔，填充所述通孔的步骤中，包括：
15、使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板沿所述厚度方向均形成通孔，填充所述第一玻璃基板的所述通孔。
16、本专利技术第二方面实施例提出一种基板，采用如上述实施例所述的基板制造方法得到，所述基板包括：
17、第一玻璃基板，沿所述厚度方向设有通孔，金属填充所述通孔。
18、本专利技术第三方面实施例提出一种基板，包括：
19、第一玻璃基板；
20、第二玻璃基板，与所述第一玻璃基板连接且层叠布置；
21、其中，所述第一玻璃基板沿其厚度方向设有通孔，金属填充所述通孔。
22、在一些实施例中，所述第二玻璃基板的厚度大于所述第一玻璃基板的厚度，所述第一玻璃基板的厚度为l1，其中，0.05mm≤l1≤0.3mm；所述第二玻璃基板的厚度为l2，其中，0.5mm≤l2≤2mm。
23、在一些实施例中，所述基板包括光敏粘接层，所述光敏粘接层位于所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板之间，所述光敏粘接层的材料为聚酰亚胺，所述光敏粘接层的厚度为l3，其中，2um≤l3≤20um。
24、与现有技术相比，本专利技术的有益效果包括：
25、在本专利技术的技术方案中，基板制造方法包括如下步骤：利用光敏粘接层连接第一玻璃基板与第二玻璃基板，其中，第一玻璃基板与第二玻璃基板层叠；使第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔，填充通孔；利用激光使光敏粘接层发生反应，以使第一玻璃基板与第二玻璃基板分离，获取第一玻璃基板。现有技术中，当直接对薄玻璃基板进行加工时，薄玻璃基板容易发生碎片和翘曲等。而本方案中通过使第一玻璃基板与第二玻璃基板层叠连接，即相当于增加了第一玻璃基板的厚度，因此在对第一玻璃基板进行加工时能够有效避免第一玻璃基板碎片的情形，并能够抑制第一玻璃基板发生翘曲。而当完成对第一玻璃基板的通孔的填充之后，使第一玻璃基板与第二玻璃基板分离，能够得到高品质、大尺寸的第一玻璃基板，即能够提升加工效率和降低生产成本。另外地，本方案通过设置光敏粘接层，使得第一玻璃基板与第二玻璃基板的连接和分离操作方便快捷，能够进一步提升加工效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤中，包括：
3.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤前，包括：
4.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔的步骤中，包括：
5.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述填充所述通孔的步骤中，包括：
6.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔，填充所述通孔的步骤中，包括：
7.一种基板，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的基板制造方法得到，所述基板包括：
8.一种基板，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的基板，其特征在于，包括：
10.如权利要求8所述的基板，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤中，包括：
3.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述利用激光使所述光敏粘接层发生反应，以使所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板分离的步骤前，包括：
4.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述使所述第一玻璃基板沿其厚度方向形成通孔的步骤中，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。