本发明专利技术公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。
【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]本申请是申请号为201510413155.2、名称为“半导体器件”的专利技术专利申请的分案申请，原申请的申请日是2015年07月14日。
[0002]本专利技术涉及一种半导体器件，例如涉及一种可适用于功率器件的技术。
技术介绍
[0003]功率器件中有时使用了具有氮化物半导体层的晶体管。专利文献1中公开了这种晶体管的一例。专利文献1所公开的晶体管中，在氮化物半导体层上形成有层间绝缘膜，且在层间绝缘膜上设有漏极垫和源极垫、以及漏极电极及源极电极。漏极电极以梳状设置在漏极垫上。同样地，源极电极以梳状设置在源极垫上。此时，漏极电极及源极电极以相互咬合的方式配置。
[0004]而且，专利文献1所公开的技术中，在俯视下，漏极电极内侧还具有在层间绝缘膜中形成的凹部。所述凹部中埋有漏极电极的一部分。漏极电极经由所述凹部与氮化物半导体层电连接。同样地，在俯视下，源极电极内侧也具有在层间绝缘膜中形成的凹部。所述凹部中埋有源极电极的一部分。源极电极经由所述凹部与氮化物半导体层电连接。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1日本特开2014－22413号公报
技术实现思路
[0008]一般来说，电流路径的宽度随着电流的流动方向而越来越变窄的区域(电流集中区域)中，容易产生电迁移现象。尤其在与氮化物半导体层连接的电极上，有时会流过大电流。因此，在与氮化物半导体层连接的电极上形成电流集中区域时，就需要具备具有很高的电迁移耐力的结构。本专利技术的所述内容及所述内容以外的目的和新特征将在本说明书的描述及附图说明中写明。
[0009]根据本专利技术之一实施方式，层间绝缘膜位于氮化物半导体层上。布线位于层间绝缘膜上。所述布线的第1侧面上形成有电极的一部分。电极与布线一体形成，且在俯视下从第1侧面向第1方向延伸。层间绝缘膜上形成有凹部。所述凹部在俯视下位于与电极重合的区域上。所述凹部中至少埋有电极的一部分。沿着所述凹部的底面及侧面、布线的底面、以及电极的底面形成有阻障金属膜。布线及电极含有铝。阻障金属膜含有钛。从第1方向上看，所述凹部中面向布线的侧面抵达布线的第1侧面，或者嵌入了布线中。
[0010]根据本专利技术之一实施方式，便可提高电极的电迁移耐力。
附图说明
[0011]图1所示的是第1实施中相关的半导体器件结构的平面图。
[0012]图2所示的是沿着图1的A－A
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线截断的截面图。
[0013]图3所示的是沿着图1的B－B
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线截断的截面图。
[0014]图4所示的是将图1的虚线α所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0015]图5所示的是将图1的虚线β所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0016]图6所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0017]图7所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0018]图8所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0019]图9所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0020]图10所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0021]图11所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0022]图12所示的是图1至图3中半导体器件制造方法的截面图。
[0023]图13所示的是与比较例相关的半导体器件结构的平面图。
[0024]图14所示的是第1实施方式中相关布局的电迁移特性和与比较例相关的布局的电迁移特性的曲线图。
[0025]图15所示的是图2中第1变形例的示意图。
[0026]图16所示的是图2中第2变形例的示意图。
[0027]图17所示的是图2中第3变形例的示意图。
[0028]图18所示的是图2中第4变形例的示意图。
[0029]图19所示的是图2中第5变形例的示意图。
[0030]图20所示的是图2中第6变形例的示意图。
[0031]图21所示的是第2实施中相关的半导体器件结构的平面图。
[0032]图22所示的是将图21的虚线α所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0033]图23所示的是将图21的虚线β所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0034]图24所示的是第3实施方式相关的半导体器件结构的平面图。
[0035]图25所示的是将图24的虚线α所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0036]图26所示的是将图24的虚线β所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0037]图27所示的是图1中的变形例的示意图。
[0038]图28所示的是将图27的虚线α所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0039]图29所示的是将图27的虚线β所围住的区域进行扩大后的示意图。
[0040]附图标记的说明
[0041]BM
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阻障金属膜
[0042]BM1
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金属膜
[0043]BUF
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缓冲层
[0044]CL
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覆盖层
[0045]DBM
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阻障金属膜
[0046]DE
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漏极电极
[0047]DP
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漏极垫
[0048]DRE
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凹部
[0049]DSF
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侧面
[0050]GE
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栅极电极
[0051]GE1
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导电膜
[0052]GI
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栅极绝缘膜
[0053]GI1
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绝缘膜
[0054]GL
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栅极布线
[0055]GP
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栅极垫
[0056]GRE
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凹部
[0057]ILD
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层间绝缘膜
[0058]MF
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金属膜
[0059]NSL
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氮化物半导体层
[0060]NSL1
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第1氮化物半导体层
[0061]NSL2
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第2氮化物半导体层
[0062]PIL
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保护绝缘层
[0063]RDS
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侧面
[0064]REC
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凹部
[0065]RSS
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侧面
[0066]SBM
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阻障金属膜
[0067]SD
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半导体器件
[0068]SE
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源极电极<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：氮化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极位于所述氮化物半导体层上，并且在俯视下沿第1轴延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述栅极电极及所述氮化物半导体层上；源极垫，所述源极垫位于所述层间绝缘膜上，并且在俯视下沿与所述第1轴垂直的第2轴延伸；漏极垫，所述漏极垫位于所述层间绝缘膜上，并且在俯视下沿所述第2轴延伸，且所述漏极垫与所述源极垫隔开间隔；源极电极，所述源极电极在俯视下以长边方向沿所述第1轴地朝向所述漏极垫延伸，并且与所述源极垫连接；以及漏极电极，所述漏极电极在俯视下以长边方向沿所述第1轴地朝向所述源极垫延伸，并且与所述漏极垫连接，其中，所述层间绝缘膜具有在俯视下以长边方向沿所述第1轴延伸的第1凹部，其中，所述第1凹部在俯视下在所述源极电极和所述源极垫中具有长边地延伸，其中，所述源极电极和所述源极垫的一部分经由所述第1凹部与所述氮化物半导体层连接，其中，所述源极电极和所述源极垫经由第1阻障金属膜形成在所述层间绝缘膜上。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中，所述层间绝缘膜具有在俯视下以长边方向沿所述第1轴延伸的第2凹部，其中，所述第2凹部在俯视下在所述漏极电极和所述漏极垫中具有长边地延伸，其中，所述漏极电极和所述漏极垫的一部分经由所述第2凹部与所述氮化物半导体层连接。3.如权利要求1所述的半导体器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：土屋秀昭，木村央，井手隆，国宗依信，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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