电极结构及其制备方法、薄膜晶体管技术

一种电极结构，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，所述电极的边缘上设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层背离电极一侧的外表面与电极接触缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。极接触缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。极接触缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。

【技术实现步骤摘要】
电极结构及其制备方法、薄膜晶体管


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种电极结构及其制备方法、薄膜晶体管。

技术介绍

[0002]随着液晶显示装置生产技术不断的发展，液晶显示装置逐步趋向窄边框化，乃至于无边框化。无边框显示产品设计需要将薄膜晶体管(TFT)侧朝外，以便进行柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)绑定；当所述TFT侧朝外时，所述TFT区域的金属没有黑矩阵(Black matrix，BM)遮挡，导致显示面板(Panel)对环境光的反射率显著增大，一般通过在M1电极层下方引入黑金属层(black metal，MoOx)作为缓冲层，以降低环境光的反射率。但当所述TFT侧朝外时，由于刻蚀(etch)后金属电极的taper角(底切角，锥形角)朝向背光侧，以铜电极(Cu)为例，在暗态时，背光照射到Cu电极的taper角上，发生反射，导致漏光，严重影响产品的对比度。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种电极结构及其制备方法、薄膜晶体管，通过在一缓冲层上形成一电极，电极边缘具有延伸面，且围绕电极的边缘配置有一防反射层，使得防反射层覆盖延伸面，防反射层远离电极一侧的外表面与电极接触缓冲层的表面形成一底切结构，在TFT侧朝外产品中，利用该防反射层减低反射率，改善TFT侧朝外产品暗态漏光的问题。
[0004]本申请提出一种电极结构，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，在所述电极的边缘上设置少一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层远离所述电极一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。
[0005]在一些实施例中，所述电极的边缘在背离所述衬底一侧的表面包括至少一延伸面，所述延伸面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并与该表面形成一夹角。
[0006]在一些实施例中，在垂直于所述衬底的方向上，所述电极背离所述衬底一侧的横截面积小于等于所述电极靠近所述衬底一侧的横截面积。
[0007]在一些实施例中，所述防反射层被配置为覆盖所述延伸面，所述防反射层背离所述延伸面一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成所述底切结构。
[0008]在一些实施例中，所述防反射层的材料为金属氧化物。
[0009]在一些实施例中，所述防反射层的材料为所述电极的材料的氧化物。
[0010]在一些实施例中，所述电极的材料为铜或银，所述防反射层的材料为氧化铜或氧化银。
[0011]在一些实施例中，所述缓冲层的材料为氧化钼。
[0012]本申请还提出一种薄膜晶体管，包括如上所述的电极。
[0013]本申请还提出一种电极结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0014]在一衬底上依次形成层叠的一缓冲层以及一金属层；
[0015]在所述金属层上形成一光阻层，以对所述缓冲层和所述金属层进行图案化处理，获得缓冲层和电极；以及，
[0016]在剥离所述光阻层前，在所述电极的表面形成防反射层。
[0017]在一些实施例中，所述在所述电极的表面形成防反射层的步骤包括：在氧化性气体的环境中以极紫外光对暴露的所述电极的表面进行氧化，以形成防反射层。
[0018]本申请所述的电极结构及其制备方法、薄膜晶体管，通过在一缓冲层上设置至少一电极，所述电极的边缘上设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕一所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接，所述防反射层背离所述电极一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面形成一底切结构。并且，本申请还给出了一具体实施例，通过在所述电极背离所述缓冲层的表面一侧的边缘区域内设置至少一延伸面，所述延伸面与所述电极接触所述缓冲层的表面形成一夹角，所述防反射层设置于所述延伸面上并覆盖所述延伸面，所述防反射层的材料为金属氧化物，在TFT侧朝外产品中，利用所述防反射层覆盖所述延伸面以减低反射率，改善了所述TFT侧朝外产品暗态漏光的难题。
附图说明
[0019]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0020]图1为本申请中电极结构的结构示意图。
[0021]图2为本申请中薄膜晶体管的结构示意图。
[0022]图3至图6为本申请中一种电极结构的制备方法流程图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]请参见图1。图1为本申请中电极结构的结构示意图。在本申请中，如图1所示的，所述电极结构包括至少一缓冲层1和至少一电极2，所述缓冲层1设置于一衬底10上，所述电极2设置于一所述缓冲层1背离所述衬底10的一侧表面上，其中，所述电极2的边缘上设置一防反射层3，所述防反射层3被配置为围绕一所述电极2的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层3延伸至与一所述缓冲层1接触连接；并且，所述防反射层3远离所述电极2一侧的外表面与所述电极2接触所述缓冲层1的表面相接触并形成一底切结构40。
[0025]如图1所示的，在所述衬底10的延伸方向上，所述电极2具有一中心区域12a和围绕所述中心区域12a设置的至少一边缘区域12b，所述电极2还具有一连续的第一表面23，所述第一表面23从所述中心区域12a延伸至所述边缘区域12b，并且，在所述边缘区域12b内，所述第一表面23还包括一延伸面21，所述延伸面21为所述第一表面23在所述边缘区域12b内偏离所述中心区域12a而形成的表面，所述第一表面23除去所述延伸面21之外的表面为一
第二表面22，即，所述延伸面21形成于所述第二表面22的两侧边缘。其中，所述延伸面21在从所述中心区域12a向所述边缘区域12b延伸的过程中，所述延伸面21延伸至与所述电极2接触所述缓冲层1的表面形成一夹角θ。即，所述电极2的所述边缘区域12b内有锥度。且在本实施例中，所述电极2在所述边缘区域12b的厚度小于所述电极2在所述中心区域12a的厚度。
[0026]在本申请中，所述延伸面21优选为一倾斜面，所述倾斜面即为斜平面。
[0027]在本申请中，所述防反射层3被配置为覆盖所述延伸面21，即所述防反射层3设置于所述倾斜面上并覆盖所述倾斜面，其中，所述防反射层3背离所述倾斜面一侧的外表面与所述电极2接触所述缓冲层1的表面形成所述底切结构40。在本实施例中，所述底切结构40与所述夹角θ的角度相等。
[0028]进一步优选实施例为，所述防反射层3远离所述电极2的所述延伸面21一侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极结构，其特征在于，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，所述电极的边缘设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层远离所述电极一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极的边缘在背离所述衬底一侧的表面包括至少一延伸面，所述延伸面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并与该表面形成一夹角。3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述电极背离所述衬底一侧的横截面积小于等于所述电极靠近所述衬底一侧的横截面积。4.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述防反射层被配置为覆盖所述延伸面，所述防反射层背离所述延伸面一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一所述底切结构。5.根据权利要求1所述的电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文波，黄远科，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：