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文档序号:28495748
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本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时,漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成,且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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