氧化硅选择性干式刻蚀工艺制造技术

提供了用于处理工件的系统和方法。在一个实施例中，方法包括当工件在第一温度时，将工件暴露于第一气体混合物以进行掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺。第一气体混合物可包括氢氟酸(HF)蒸汽。掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺以第一刻蚀速率至少部分去除掺杂的硅酸盐玻璃层，第一刻蚀速率大于与至少一种第二层的去除相关的第二刻蚀速率。方法可包括将工件加热至第二温度。第二温度大于第一温度。方法可包括当工件在第二温度时，将工件暴露于第二气体混合物以从工件去除残留物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化硅选择性干式刻蚀工艺优先权声明本申请要求于2019年8月30日提交的名称为“SiliconOxideSelectiveDryEtchProcess(氧化硅选择性干式刻蚀工艺)”的美国申请系列号16/557,346的优先权，其通过引用并入。
本公开大体上涉及工件比如半导体工件的处理。
技术介绍
半导体工件的处理可涉及在基材上沉积、图案化和去除不同材料层以形成多层结构。为了在3D器件结构制造中更好地图案化比对，每层都近似平面。在每层中，介电材料比如硅酸盐玻璃可用于使结构分离并使导电材料绝缘。包括硼硅酸盐玻璃(BSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)和硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)的掺杂的硅酸盐玻璃通常用作导电材料之间的介电层或绝缘层，因为其熔点通常比常规玻璃或其他介电材料低得多。较低的熔化温度允许掺杂的硅酸盐玻璃在相对较低的温度下在平坦化之前回流至图案化的结构中。硅酸盐玻璃膜可通过使用液体四乙氧基硅烷(TEOS)代替有害硅烷气体作为硅源的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统进行沉积。BSG、PSG或BPSG膜可分别在PECVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在工件上刻蚀掺杂的硅酸盐玻璃层的方法，其中所述工件包括掺杂的硅酸盐玻璃层和至少一种第二层，所述第二层相对于所述掺杂的硅酸盐玻璃层是不同材料，并且所述方法包括：/n当所述工件在第一温度时，将所述工件暴露于第一气体混合物以进行掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺，其中所述第一气体混合物包括氢氟酸(HF)蒸汽，其中所述掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺以第一刻蚀速率至少部分去除所述掺杂的硅酸盐玻璃层，所述第一刻蚀速率大于与所述至少一种第二层的去除相关的第二刻蚀速率；/n将所述工件加热至第二温度，其中所述第二温度大于所述第一温度；/n当所述工件在所述第二温度时，将所述工件暴露于第二气体混合物以从所述工件去除残留...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190830 US 16/557,3461.一种用于在工件上刻蚀掺杂的硅酸盐玻璃层的方法，其中所述工件包括掺杂的硅酸盐玻璃层和至少一种第二层，所述第二层相对于所述掺杂的硅酸盐玻璃层是不同材料，并且所述方法包括：
当所述工件在第一温度时，将所述工件暴露于第一气体混合物以进行掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺，其中所述第一气体混合物包括氢氟酸(HF)蒸汽，其中所述掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺以第一刻蚀速率至少部分去除所述掺杂的硅酸盐玻璃层，所述第一刻蚀速率大于与所述至少一种第二层的去除相关的第二刻蚀速率；
将所述工件加热至第二温度，其中所述第二温度大于所述第一温度；
当所述工件在所述第二温度时，将所述工件暴露于第二气体混合物以从所述工件去除残留物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体混合物包括HF蒸汽。


3.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的硅酸盐玻璃是硼硅酸盐玻璃，并且硼浓度在约1％和约10％之间。


4.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的硅酸盐玻璃是磷硅酸盐玻璃，并且磷浓度在约1％和约10％之间。


5.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的硅酸盐玻璃是硼磷硅酸盐玻璃，硼浓度在约1％和约10％之间并且磷浓度在约1％和约10％之间。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度在约20℃至约200℃的范围内。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度是约30℃至约90℃。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二温度是约150℃至约400℃。


9.根据权利要求1所述的方法，其中第二温度是约150℃至约250℃。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种第二层是氮化钛。


11.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祺，吕新亮，仲華，杨海春，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US