一种具有多层膜结构的声表面波谐振器及制造方法技术

本发明专利技术涉及一种多层膜结构的声表面波谐振器及其制造方法，该谐振器包括：衬底、底部高声速层、底部氧化层、材料为单晶64°YX LiTaO

【技术实现步骤摘要】
一种具有多层膜结构的声表面波谐振器及制造方法
本专利技术涉及声波谐振器/滤波器，尤其涉及手机射频前端中的一种具有多层膜结构的高Q高FOM值的声表面波谐振器及制造方法。
技术介绍
随着5G时代的来临，对于数据传输速度的要求越来越高。为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，对于移动设备的射频前端的各种性能提出了更高要求，尤其是滤波器的设计越来愈有挑战性。声表面波(SAW)、体声波(BAW)、以及薄膜体声波(FBAR)是当前可移动设备滤波器领域的三大主流技术。其中，低频和中频段又以SAW滤波器为主。其技术从Normal-SAW、TC-SAW，更进一步演进到IHP-SAW，以及未来的XBAR技术。IHP-SAW滤波器以其优异的温度补偿性能，以及较低的插入损耗，可比拟甚至超越部分BAW、FBAR滤波器，成为现阶段SAW滤波器产业的一个主要的发展趋势。IHP-SAW技术采用类似于SAW器件+SMR-BAW器件的多层反射栅结构的混合技术。IHP-SAW的多层反射栅结构采用高声阻抗和低声阻抗交替堆叠的方式实现。其低声阻抗材料多采用TCF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层膜结构的声表面波谐振器，包括：/n衬底；/n位于所述衬底之上的底部高声速层；/n位于所述底部高声速层之上的底部氧化层；/n位于所述底部氧化层上的压电薄膜，所述压电薄膜的材料为单晶64°YXLiTaO

【技术特征摘要】
1.一种多层膜结构的声表面波谐振器，包括：
衬底；
位于所述衬底之上的底部高声速层；
位于所述底部高声速层之上的底部氧化层；
位于所述底部氧化层上的压电薄膜，所述压电薄膜的材料为单晶64°YXLiTaO3，厚度为0.3-0.7λ或2λ，其中，λ是电极指激发的声波波长；
位于所述压电薄膜之上的电极；
覆盖在所述电极之上的顶部氧化层；以及
在所述顶部氧化层之上的顶部高声速层。


2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于：
所述衬底的材料为Si；
所述底部高声速层和所述顶部高声速层的材料均选自SiC、SiN、蓝宝石、W；
所述底部氧化层和所述顶部氧化层的材料均为SiO2或尖晶石。


3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于：
所述衬底厚度为350μm；
所述底部高声速层厚度为0.4-1.4λ或1.8-2λ；
所述底部氧化层厚度为0.2-1.2λ或1.8-2λ；
所述电极厚度为80nm；
所述顶部氧化层厚度为0.2-0.3λ或1.2λ或1.6λ；
所述顶部高声速层厚度为0.4-0.6λ或1.6-2λ
其中，λ＝1μm。


4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极为第一层为Ni，第二层为Mo，第三层为Al-Cu合金的层叠体。


5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极的占空比为0.5，所述电极对数为95对。


6.一种多层膜结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红浪，许欣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44