一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构制造技术

本发明专利技术涉及滤波器领域，具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，技术方案包括：所述layout结构包括环形金属导体、设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器多个接地端，在滤波器外环设置环形金属导体，将多个接地端连接在一起，形成另一共地连接端，在接地端之间引入新的电感，从而在高频段产生一个或者多个零点，有效的改善了滤波器高频的抑制，并且不影响通带特性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构
本专利技术属于滤波器领域，具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构。
技术介绍
设计声表面滤波器主要有梯型滤波器和DMS型滤波器，广泛应用于接收滤波器中，接收滤波器对高频段的抑制效果有较高的性能要求。接收滤波器的设计制作，一般是根据使用场景进行具体设计，但是在高频段的抑制是难点。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，使高频段的抑制大大提升，并且保证了通带的性能，所述layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端。优选的，所述金属导体为导体带。优选的，所述导体带上设置有朝向滤波器一侧的凸起，所述凸起填充所述滤波器与导体带之间的空隙。优选的，所述导体带上设置有曲折段。优选的，所述layout结构设置于滤波器密封装置上。优选的，所述环形金属导体材质为铜质。优选的，所述滤波器为DMS型滤波器，所述环形金属导体连接所述DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。优选的，所述滤波器为梯型滤波器，所述环形金属导体连接所述梯型滤波器多个并联臂的接地端。本专利技术具有以下有益效果：在滤波器外环设置环形金属导体，将接地端连接在一起，形成另一共地连接端，在接地端之间引入新的电感，而在高频段产生一个或者多个零点，有效的改善了滤波器高频的抑制，并且不影响通带特性。附图说明图1为现有技术中常规DMS型滤波器结构简图；图2为现有技术中DMS型滤波器偶数阶谐振结构、偶数阶谐振结构分别共地结构简图；图3为图2中DMS型滤波器结构示意图；图4为本专利技术实施例中DMS型滤波器加入导体带的结构示意图；图5为本专利技术实施例中导体带上设置有凸起的结构示意图；图6为本专利技术实施例中导体带上设置有曲折段的结构示意图；图7为本专利技术实施例中梯型滤波器加入导体带的结构示意图；图8为图3、4、5实施例中DMS型滤波器S参数仿真结果示意图；图9为本专利技术实施例中导体带上设置凸起和/或曲折段后与常规结构的S参数仿真结果示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。如图1所示，该DMS型滤波器包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构和两个反射栅40，DMS结构内部各个谐振结构分别接地。如图2所示，该DMS型滤波器包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构41和两个反射栅40，将偶数阶、偶数阶谐振结构41的接地端G2、G3分别连接在一起，形成部分共地。如图3-6所示，用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构及滤波器，layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，环形金属导体连接滤波器的多个接地端。作为优选的方案，环形金属导体为导体带10。作为优选的方案，导体带10上设置有朝向滤波器一侧的凸起20，凸起20填充滤波器与导体带10之间的空隙。作为优选的方案，导体带10上设置有曲折段30。作为优选的方案，导体带10上设置有凸起20和曲折段30。作为优选的方案，layout结构设置于滤波器密封装置上，即环形金属导体设置于滤波器的封装盒上，滤波器制作完成后，在封装时各个接地端的连接点再与环形金属导体连接，可以不改变滤波器原本的结构，对整个滤波器形成包围；环形金属导体也可以直接设置于滤波器基板上。作为优选的方案，环形金属导体材质为铜质。所设置的凸起20靠近滤波器一侧用于填充空隙，可以不增大滤波器原本的体积，在小型化上依然具有优势，而设置曲折段30同样的是在空隙范围内进行弯折。一种DMS型滤波器，环形金属导体连接DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。以GPS四合一频段为例，加入环形金属导体结构，包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构41和两个反射栅40，将偶数阶、偶数阶谐振结构41的接地端G2、G3分别连接在一起，然后与导体带10连接，同时将并联谐振器P1的接地端G1与导体带10连接，在地信号之间引入新的电感；另一种实施方式，五阶谐振结构41之间的接地端单独设置，然后通过导体带连成整体。导体带10和滤波器结构之间的间隙，包括输入端input、输出端output、以及各谐振器与导体带10之间的间隙，可以设置凸起20，以增大导体带10的面积，增强接地端之间引入的电感，从而增强带外抑制效果，主要在高频段具有良好的抑制效果，同时在低频段也有一定的效果。在导体带10上设置曲折段30，以增长导体带10的长度，增强接地端之间引入的电感，从而增强带外抑制效果，也可以在高频段具有良好的抑制效果，同时在低频段也有一定的效果。如图8所示，按带外抑制效果从低到高区分，即通带外曲线最高的是图3所示常规DMS型滤波器的S参数曲线，DMS结构内部偶数阶谐振结构41、偶数阶谐振结构41分别共地，次之的是图4所示加入导体带10的DMS型滤波器的S参数曲线，而位于最下方的是图5所示导体带10上设置有凸块情况下的S参数曲线，图中三条曲线的通带性能几乎完全重合，可以明显看出对通带特性没有影响，而带外抑制效果大幅度增强。如图9所示，在导体带10上设置凸起20和/或曲折段30相较于简单的环形导体带，其带外抑制效果有进一步的提升。如图7所示的梯型滤波器，环形金属导体连接梯型滤波器并联臂的接地端，包括串联谐振器S4、S5、S6、S7、S8和并联谐振器P2、P3、P4、P5，其中P2并联于S4、S5之间，P3并联于S5、S6之间，P4并联于S6、S7之间，P5并联于S7、S8之间，将P2、P3接地端G4和P4、P5接地端G5连接在导体带10上；另一种实施方式，将并联谐振器的接地端单独接地，并且均与导体带10连接，仿真结果表明，该实施方式的效果优于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端。


2.根据权利要求1所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述环形金属导体为导体带。


3.根据权利要求2所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述导体带上设置有朝向滤波器一侧的凸起，所述凸起填充所述滤波器与导体带之间的空隙。


4.根据权利要求2所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述导体带上设置有曲折段。

【专利技术属性】
技术研发人员：安虹瑾，董元旦，杨涛，安建光，赵孟娟，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51