【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子，尤其涉及一种声表面波滤波器和滤波元件。
技术介绍
1、声表面波(surface acoustic wave, saw)是一种沿物体表面传播的弹性波。saw技术是上世纪60年代末期才发展起来的一门新兴科学技术，它是超声学和电子学相结合的一门学科。由于可以利用光刻技术大批量生产高质量的saw芯片，各种saw器件很快推出并投入实际应用。用saw去模拟电子学的各种功能，可使saw器件实现小型化和多功能。saw器件能实现多种复杂信号处理功能，具有功耗低、成本低、质量轻、尺寸小和性能优良等特点，使其已成为集成化、小型化、高性能的无线通信系统rf前端的关键核心器件之一，被广泛应用于民用消费品、商用设备乃至军事系统等领域。
2、声表面波滤波器的制备工艺可分为普通工艺、温度补偿型工艺和高性能型工艺这三种工艺。其中，普通工艺采用钽酸锂作为声表面波滤波器的衬底，具有成本低、工艺简单等特点，使得普通工艺的声表面波滤波器成为主流产品。在声表面波滤波器的加工过程中，在覆盖二氧化硅前，声表面波滤波器的中心频率高于目标频率，即需要通过覆盖二氧化硅来降低声表面波滤波器的中心频率。在覆盖二氧化硅后，声表面波滤波器的中心频率往往无法准确达到目标频率，此时若不对中心频率进行修正，则声表面波滤波器会因为频率不正而报废，浪费成本，造成损失。现有工艺通过继续调整二氧化硅的厚度进行中心频率修正。然而，声表面波滤波器上覆盖的二氧化硅的厚度需要按照设计要求严格设置，对于普通工艺的声表面波滤波器，二氧化硅过厚会使声表面波滤波器的带宽偏离设计的目标带宽
技术实现思路
1、为解决上述现有技术问题，本专利技术提供一种声表面波滤波器及多工器，技术方案如下：
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种声表面波滤波器，包括：
3、衬底；
4、电极，电极设置在衬底的一侧；
5、第一保护层，第一保护层为二氧化硅，第一保护层覆盖电极以及衬底设置有电极的一侧；
6、第二保护层，第二保护层覆盖设置在第一保护层远离衬底的一侧，第二保护层为氮化硅；
7、其中，第一保护层用于在覆盖设置第二保护层前将声表面波滤波器的中心频率降低至低于所要求达到的目标频率。
8、在一种实施方式中，衬底为钽酸锂，衬底的厚度为200um。
9、在一种实施方式中，电极为铝铜合金，电极的厚度为2100a。
10、在一种实施方式中，第一保护层的厚度为150a。
11、在一种实施方式中，第二保护层的厚度为100a。
12、在一种实施方式中，声表面波滤波器的电路结构包括双模声表面波滤波器。
13、在一种实施方式中，声表面波滤波器的电路结构还包括第一接地端子、第二接地端子和第三接地端子；
14、双模声表面波滤波器为5阶双模声表面波滤波器，双模声表面波滤波器同时连接第一接地端子、第二接地端子和第三接地端子，其中，第二接地端子和第三接地端子共地。
15、在一种实施方式中，声表面波滤波器的电路结构还包括第一串联臂、第二串联臂、第三串联臂、第一并联臂、第四接地端子、输入端子和输出端子；
16、第一串联臂的第一端与输入端子连接，第一串联臂的第二端与第一并联臂的第一端连接，第一并联臂的第二端与第四接地端子连接，第一并联臂的第一端还与第二串联臂的第一端连接，第二串联臂的第二端与双模声表面波滤波器的输入端连接，双模声表面波滤波器的输出端与第三串联臂的第一端连接，第三串联臂的第二端与输出端子连接。
17、在一种实施方式中，第三串联臂设置有声表面波谐振器。
18、第二方面，本专利技术实施例提供了一种滤波元件，包括第一方面的声表面波滤波器。
19、本专利技术的有益效果体现在，通过设置二氧化硅作为第一保护层覆盖声表面波滤波器的衬底和电极，使第一保护层在覆盖设置第二保护层前将声表面波滤波器的中心频率降低至低于所要求达到的目标频率，并对声表面波滤波器进行保护，然后通过在第一保护层上覆盖设置一层氮化硅作为第二保护层来修正声表面波滤波器的中心频率，以使声表面波滤波器的中心频率达到所要求的目标频率，无需调整二氧化硅的厚度即可将中心频率修正至目标频率，即本专利技术实施例可以在按照设计要求严格设置二氧化硅的厚度后通过在二氧化硅上覆盖氮化硅来修正声表面波滤波器的中心频率至目标频率，不影响器件性能和可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述衬底为钽酸锂，所述衬底的厚度为200um。
3.根据权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述电极为铝铜合金，所述电极的厚度为2100A。
4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一保护层的厚度为150A。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100A。
6.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的电路结构包括双模声表面波滤波器。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的电路结构还包括第一接地端子、第二接地端子和第三接地端子；
8.根据权利要求6或7任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的电路结构还包括第一串联臂、第二串联臂、第三串联臂、第一并联臂、第四接地端子、输入端子和输出端子；
9.根据权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第三串联
10.一种滤波元件，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的声表面波滤波器。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述衬底为钽酸锂，所述衬底的厚度为200um。
3.根据权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述电极为铝铜合金，所述电极的厚度为2100a。
4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一保护层的厚度为150a。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100a。
6.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的电路结...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵孟娟，董元旦，杨涛，马增红，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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