【技术实现步骤摘要】
研磨装置
本专利技术涉及一种研磨装置。
技术介绍
以往，已知有对夹持在上定盘和下定盘之间的硅晶片、表面形成有氧化膜等的晶片、SOI晶片、SiC晶片、其他半导体晶片、玻璃晶片、石英玻璃晶片、水晶晶片、蓝宝石晶片以及陶瓷晶片等的工件的表面进行研磨的研磨装置(例如，参见专利文献1)。该研磨装置具有厚度计测器，该厚度计测器经由贯穿上定盘的孔实时测量研磨中的工件的形状。该厚度计测器向研磨中的工件照射测量光，并基于工件的表背面上反射的反射光来测量工件的形状。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015－47656号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在以往的研磨装置的形状测量装置中，在测量工件形状时将作为照射工件之前的测量光的照射光的光量设定为恒定。另一方面，工件的材质存在如上描述的各种各样，此外，每个工件的杂质浓度也不同。因此，由于工件的材质和杂质浓度等而不能够获得适合于工件形状的测量的反射光，从而存在不能够适当地测量工件形状的问题。本专利技术鉴于上述问题而做...
【技术保护点】
1.一种研磨装置，使工件和定盘相对旋转，并由安装在所述定盘上的研磨垫对所述工件进行研磨，其特征在于，/n所述研磨装置包括：研磨机主体，其对所述工件进行研磨；以及形状测量装置，其在所述工件上照射测量光，并基于该测量光在所述工件上反射而获得的反射光来测量所述工件的形状，/n所述形状测量装置具有：激光光源，其射出所述测量光；以及光强度控制部，其基于所述工件的电阻率来控制作为照射所述工件之前的测量光的照射光的光量。/n
【技术特征摘要】
20191105 JP 2019-2008541.一种研磨装置，使工件和定盘相对旋转，并由安装在所述定盘上的研磨垫对所述工件进行研磨，其特征在于，
所述研磨装置包括：研磨机主体，其对所述工件进行研磨；以及形状测量装置，其在所述工件上照射测量光，并基于该测量光在所述工件上反射而获得的反射光来测量所述工件的形状，
所述形状测量装置具有：激光光源，其射出所述测量光；以及光强度控制部，其基于所述工件的电阻率来控制作为照射所述工件之前的测量光的照射光的光量。
2.如权利要求1所述的研磨装置，其中，
所述光强度控制部在所述工件的电阻率较高的情况时，与所述工件的电阻率较低时相比减少所述照射光的光量。
3.如权利要求1或者2所述的研磨装置，其中，
所述形状测量装置具有电阻率识别部，该电阻率识别部基于所述反射光的反射强度来识别所述工件的电阻率，
所述光强度控制部基于所述电阻率识别部识别的所述电阻率来控制所述照射光的光量。
4.如权利要求1或者2所述的研磨装置，其中，
所述形状测量装置具有光源性能检测部，该光源性能检测部基于所述...
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