半导体装置制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。栅极位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍状物位于基板上。介电结构位于介电鳍状物上。介电结构的上表面高于栅极的上表面。介电层位于基板上。介电鳍状物横向分开栅极与介电层，并横向分开半导体纳米结构与介电层。介电层的上表面高于栅极结构的上表面与介电结构的上表面。介电层的下表面低于介电鳍状物的上表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及形成纳米结构场效晶体管之间的空间减少的半导体装置的方法。
技术介绍
集成电路制造产业在过去数十年已经历指数成长。随着集成电路发展，可持续减少最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容或类似物)的集成密度，使更多电子构件可整合至给定面积中。尺寸缩小的工艺可提供许多优点，比如增加产能、降低制作成本、增加装置效能或类似优点。集成电路产业缩小半导体装置的进展之一为多栅极场效晶体管。多栅极场效晶体管的一些例子包括双栅极场效晶体管、三栅极场效晶体管、Ω栅极场效晶体管或全绕式栅极场效晶体管。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。本专利技术一些实施例提供半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构，直接位于半导体鳍状物上并垂直堆叠。栅极结构，位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍状物，位于半导体基板上，其中栅极结构与半导体纳米结构位于介电鳍状物的第一侧上，且其中介电鳍状物的上表面低于栅极结构的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一半导体鳍状物，自一半导体基板垂直凸起；/n多个半导体纳米结构，直接位于该半导体鳍状物上并垂直堆叠；/n一栅极结构，位于该半导体鳍状物上并围绕多个所述半导体纳米结构；/n一介电鳍状物，位于该半导体基板上，其中该栅极结构与多个所述半导体纳米结构位于该介电鳍状物的第一侧上，且其中该介电鳍状物的上表面低于该栅极结构的上表面；/n一介电结构，直接位于该介电鳍状物上，其中该介电结构的第一上表面高于该栅极结构的上表面；以及/n一介电层，至少部分地位于该半导体基板上，其中该介电层位于该介电鳍状物的第二侧上，且该介电鳍状物的第一侧与第二侧相对，其中该介电层的上表面高于该栅极结构的...

【技术特征摘要】
20191030 US 62/927,881;20200715 US 16/929,5921.一种半导体装置，包括：
一半导体鳍状物，自一半导体基板垂直凸起；
多个半导体纳米结构，直接位于该半导体鳍状物上并垂直堆叠；
一栅极结构，位于该半导体鳍状物上并围绕多个所述半导体纳米结构；
一介电鳍状物，位于该半导体基板上，其中该栅极结...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志昌，苏焕杰，江国诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71