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本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。栅极位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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