【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及一种半导体技术,尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
晶体管制造技术的最新发展中,金属是用于形成接触插塞及金属栅极。接触插塞是用于连接晶体管的源极、漏极区以及栅极。源极/漏极接触插塞通常连接至源极/漏极硅化物区(其通过沉积金属层,然后进行退火使金属层与源极/漏极区的硅反应而形成),而栅极接触插塞则用于连接金属栅极。金属栅极的制作可包括:形成一虚置栅极堆叠;去除虚置栅极堆叠以形成开口;将金属材料填充于开口内;以及进行平坦化以去除多余的金属材料以形成金属栅极。接着回蚀刻金属栅极以形成凹槽,并且将介电硬式掩模填充至凹槽内。当形成栅极接触插塞时,去除硬式掩模,使栅极接触插塞可接触金属栅极。也形成源极/漏极接触插塞以电性耦接至源极/漏极区。源极/漏极接触插塞的制作包括:蚀刻内层介电(Inter-LayerDielectric,ILD)层以形成接触开口;以及形成源极/漏极硅化物区及接触插塞于接触开口内。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种半导体装 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括:/n一鳍部,突出于一半导体基底;/n一栅极结构,位于该鳍部上;/n一第一介电层,位于该栅极结构上且包括一第一介电材料;/n一栅极间隔件,沿着该栅极结构的侧壁及沿着该第一介电层的侧壁,其中该栅极间隔件的上表面比该栅极结构的上表面更远离该半导体基底;/n一蚀刻停止层,沿着该栅极间隔件,其中该蚀刻停止层的上表面比该栅极间隔件的该上表面更靠近该半导体基底;/n一源极/漏极接触电极相邻于该蚀刻停止层;/n一第二介电层,位于该源极/漏极接触电极上且包括一第二介电材料,其中该第二介电层延伸于该蚀刻停止层的该上表面上;以及/n一第三介电层,位于该第二介电层上,且包 ...
【技术特征摘要】
20191030 US 62/928,163;20200305 US 16/809,8761.一种半导体装置,包括:
一鳍部,突出于一半导体基底;
一栅极结构,位于该鳍部上;
一第一介电层,位于该栅极结构上且包括一第一介电材料;
一栅极间隔件,沿着该栅极结构的侧壁及沿着该第一介电层的侧壁,其中该栅极间隔件的上表面比该栅极结构的上表面更远离...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄麟淯,游力蓁,张家豪,庄正吉,林佑明,王志豪,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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