晶体管装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有鳍片结构、源极端子及漏极端子、沟道层以及栅极结构的晶体管装置。鳍片结构设置在材料层上。鳍片结构平行地布置且在第一方向上延伸。源极端子及漏极端子设置在鳍片结构及材料层上且覆盖鳍片结构的相对末端。沟道层分别设置在鳍片结构上，且每个沟道层在相同鳍片结构上的源极端子与漏极端子之间延伸。栅极结构设置在沟道层上且跨越鳍片结构。栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。沟道层的材料包含过渡金属及硫族化物，源极端子及漏极端子包含金属材料，以及沟道层与源极端子及漏极端子共价键合。

【技术实现步骤摘要】
晶体管装置
本公开的实施例涉及一种晶体管装置。
技术介绍
场效应晶体管(field-effecttransistors；FET)为具有源极端子、漏极端子以及栅极端子的三端半导体装置。由施加到栅极的电压控制，电荷载流子(例如电子或空穴)通过有源沟道从源极流动到漏极。
技术实现思路
本公开实施例的一种晶体管装置，包括鳍片结构、源极端子、漏极端子、延伸部分以及栅极结构。所述鳍片结构，设置在材料层上，其中所述鳍片结构平行地布置以及在第一方向上延伸；所述源极端子及所述漏极端子，设置在所述鳍片结构及所述材料层上，以及覆盖所述鳍片结构的相对末端；所述延伸部分，分别设置在所述鳍片结构上，其中每个延伸部分连接相同鳍片结构上的所述源极端子及所述漏极端子以及在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸；以及所述栅极结构，设置在所述延伸部分上及跨越所述鳍片结构，其中所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；其中所述延伸部分包含含有过渡金属及硫族化物的第一材料，所述源极端子及所述漏极端子包含金属材料，以及所述延伸部分与所述源极端子及所述漏极端子共价键本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管装置，包括：/n鳍片结构，设置在材料层上，其中所述鳍片结构平行地布置以及在第一方向上延伸；/n源极端子及漏极端子，设置在所述鳍片结构及所述材料层上，以及覆盖所述鳍片结构的相对末端；/n延伸部分，分别设置在所述鳍片结构上，其中每个延伸部分连接相同鳍片结构上的所述源极端子及所述漏极端子以及在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸；以及/n栅极结构，设置在所述延伸部分上及跨越所述鳍片结构，其中所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；/n其中所述延伸部分包含含有过渡金属及硫族化物的第一材料，所述源极端子及所述漏极端子包含金属材料，以及所述延伸部分与所述源极端子及所述漏极端子共价键合...

【技术特征摘要】
20191031 US 62/928,362;20200712 US 16/926,7661.一种晶体管装置，包括：
鳍片结构，设置在材料层上，其中所述鳍片结构平行地布置以及在第一方向上延伸；
源极端子及漏极端子，设置在所述鳍片结构及所述材料层上，以及覆盖所述鳍片结构的相对末端；
延伸部分，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕俊颉，郑兆钦，赵子昂，李连忠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71