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本发明提供一种具有鳍片结构、源极端子及漏极端子、沟道层以及栅极结构的晶体管装置。鳍片结构设置在材料层上。鳍片结构平行地布置且在第一方向上延伸。源极端子及漏极端子设置在鳍片结构及材料层上且覆盖鳍片结构的相对末端。沟道层分别设置在鳍片结构上，且...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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