一种硅片用石英舟及硅片放置方式制造技术

本发明专利技术公开一种硅片用石英舟及硅片放置方式，石英舟包括前后相对设置的前固定板与后固定板及设在两者之间的多个上安装柱与下安装柱，上安装柱与下安装柱一一对应设置；上安装柱与下安装柱上均设有卡槽，上安装柱上的卡槽与下安装柱上的卡槽一一对应设置，且上安装柱上卡槽槽口与下安装柱上对应的卡槽的槽口相对设置，以限制放置在上安装柱与下安装柱之间的硅片向下移动；石英舟水平设置在炉管内，炉管轴心线方向与通入炉管的气体的气流方向平行，硅片所在平面与炉管的轴心线平行，或硅片所在平面与炉管的轴心线之间具有夹角。本发明专利技术提供的硅片放置方式，减小硅片对气流的阻挡作用，扩散工艺后硅片的片内均匀性一致，且适用大硅片。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片用石英舟及硅片放置方式
本专利技术涉及太阳能硅片制备领域，尤其涉及一种硅片用石英舟及硅片放置方式。
技术介绍
太阳能电池的硅片都需要通过扩散工艺来制造PN结，硅片叠放在石英舟内，然后石英舟与硅片一起放入扩散炉内完成扩散工艺制造PN结。现有技术方案主要存在以下缺点：石英舟内叠放的硅片是竖直方向(石英舟的长度方向为水平方向，硅片在炉管内竖直放置，即硅片所在平面与石英舟的长度方向垂直)，硅片延伸方向与气流方向垂直设置，气流从炉管一个端部进入炉管内，位于炉管前面的硅片会阻碍气流向内部硅片流通，使得部分气流来不及向硅片的中心区域扩散就被抽气系统抽走，造成了气源的浪费；气流很容易的在前端靠近气流源头的硅片上扩散，使得离气源远近不同区域的硅片之间扩散的效果差异变大；气流容易在硅片的四周边缘汇集，硅片的中心区域较难汇集到气流，使得硅片内部的扩散效果差异变大；硅片的尺寸越大，硅片中心区域越难汇集到气流，不利于大尺寸硅片的实施。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种硅片用石英舟及硅片放置方式，以解决位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片用石英舟，其特征在于，包括前后相对设置的前固定板(1)与后固定板(2)以及设置在前固定板(1)与后固定板(2)之间的多个上安装柱与多个下安装柱，所述上安装柱与下安装柱一一对应设置，所述上安装柱与下安装柱之间设有用于容置硅片(5)的中空空间；/n所述上安装柱与下安装柱上均设有用于包覆硅片(5)侧边的卡槽(6)，所述上安装柱上的卡槽(6)与下安装柱上的卡槽(6)一一对应设置，且所述上安装柱上卡槽(6)的槽口与下安装柱上对应的卡槽(6)的槽口相对设置，以限制放置在上安装柱与下安装柱对应的卡槽(6)内的硅片(5)向下移动，且使得所述硅片(5)所在平面与沿上下方向延伸的基准竖直面平行，或所述...

【技术特征摘要】
20200831 CN 202010894109X1.一种硅片用石英舟，其特征在于，包括前后相对设置的前固定板(1)与后固定板(2)以及设置在前固定板(1)与后固定板(2)之间的多个上安装柱与多个下安装柱，所述上安装柱与下安装柱一一对应设置，所述上安装柱与下安装柱之间设有用于容置硅片(5)的中空空间；
所述上安装柱与下安装柱上均设有用于包覆硅片(5)侧边的卡槽(6)，所述上安装柱上的卡槽(6)与下安装柱上的卡槽(6)一一对应设置，且所述上安装柱上卡槽(6)的槽口与下安装柱上对应的卡槽(6)的槽口相对设置，以限制放置在上安装柱与下安装柱对应的卡槽(6)内的硅片(5)向下移动，且使得所述硅片(5)所在平面与沿上下方向延伸的基准竖直面平行，或所述硅片(5)所在平面与基准竖直面之间保持夹角，其中，所述基准竖直面与所述上安装柱的延伸方向、下安装柱的延伸方向均垂直设置。


2.根据权利要求1所述的硅片用石英舟，其特征在于，所述夹角大于0°且小于45°。


3.根据权利要求1或2所述的硅片用石英舟，其特征在于，所述上安装柱包括两个单条型上安装柱(3)、一个或多个双条型上安装柱(4)，所述双条型上安装柱(4)设置在两个单条型上安装柱(3)之间，所述单条型上安装柱(3)的一端具有多个卡槽(6)，所述双条型上安装柱(4)的左右两端部均具有多个卡槽(6)；
所述下安装柱包括两个单条型下安装柱(8)、一个或多个双条型下安装柱(9)，所述双条型下安装柱(9)设置在两个单条型下安装柱(8)之间，所述单条型下安装柱(8)的一端具有多个卡槽(6)，所述双条型下安装柱(9)的左右两端部均具有多个卡槽(6)；
所述单条型上安装柱(3)、双条型上安装柱(4)、单条型下安装柱(8)与双条型下安...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建芬，张灵，任俊江，薇儿妮卡·夏丽叶，
申请(专利权)人：赛姆柯苏州智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32