硅片处理装置制造方法及图纸

技术编号:28041529 阅读:23 留言:0更新日期:2021-04-09 23:24
本实用新型专利技术提供了一种硅片处理装置,硅片处理装置包括:箱体,箱体上设置有腔体和与腔体相连通的排气口,腔体被配置为适于放置硅片;第一喷淋组件,与箱体相连接,第一喷淋组件被配置为向腔体中喷淋液体;排气组件,与排气口相连接,排气组件被配置为抽取腔体中的气体;控制器,与第一喷淋组件和排气组件相连接,控制器控制喷淋组件和排气组件工作。该结构使腔体内的空间可以保持在一定湿度和压力下,从而营造出便于硅片存放的环境,即通过使硅片处于一定的湿度和压力状态来减缓硅片表面的氧化反应速率,减少后续清除氧化膜的工作量和药剂消耗量。

【技术实现步骤摘要】
硅片处理装置
本技术涉及太阳能电池湿法处理
,具体而言,涉及一种硅片处理装置。
技术介绍
在晶体硅太阳能的湿法制备处理过程中,硅片经过槽式设备的腐蚀、清洗后对硅片进行烘干,在烘干后硅片表面会形成一层致密的氧化层,在搬运和滞留过程中,此层氧化膜会更加的致密,导致后续进行处理时非常难处理和需要耗费更加的药液,同时对电池片的效率有影响。因此,如何设计出一种可减缓硅片表面氧化速率的硅片处理装置成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。为此,本技术的提出一种硅片处理装置。有鉴于此,本技术提供了一种硅片处理装置,硅片处理装置包括:箱体,箱体上设置有腔体和与腔体相连通的排气口,腔体被配置为适于放置硅片;第一喷淋组件,与箱体相连接,第一喷淋组件被配置为向腔体中喷淋液体;排气组件,与排气口相连接,排气组件被配置为抽取腔体中的气体;控制器,与第一喷淋组件和排气组件相连接,控制器控制喷淋组件和排气组件工作。根据本技术提供的硅片处理装置,硅片处理装置包括箱体、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片处理装置,其特征在于,包括:/n箱体,所述箱体上设置有腔体和与所述腔体相连通的排气口,所述腔体被配置为适于放置硅片;/n第一喷淋组件,与所述箱体相连接,所述第一喷淋组件被配置为向所述腔体中喷淋液体;/n排气组件,与所述排气口相连接,所述排气组件被配置为抽取所述腔体中的气体;/n控制器,与所述第一喷淋组件和所述排气组件相连接,所述控制器控制所述喷淋组件和所述排气组件工作。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理装置,其特征在于,包括:
箱体,所述箱体上设置有腔体和与所述腔体相连通的排气口,所述腔体被配置为适于放置硅片;
第一喷淋组件,与所述箱体相连接,所述第一喷淋组件被配置为向所述腔体中喷淋液体;
排气组件,与所述排气口相连接,所述排气组件被配置为抽取所述腔体中的气体;
控制器,与所述第一喷淋组件和所述排气组件相连接,所述控制器控制所述喷淋组件和所述排气组件工作。


2.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于,所述第一喷淋组件包括:
第一管路,与所述箱体相连接,至少部分所述第一管路位于所述腔体中,位于所述腔体中的所述第一管路上设置有第一喷淋口;
水雾生成装置,所述水雾生成装置的水雾出口与所述第一管路的入口端相连接。


3.根据权利要求2所述的硅片处理装置,其特征在于,所述第一喷淋组件还包括:
湿度传感器,设置于所述腔体中,所述湿度传感器被配置为感测所述腔体中的湿度值;
其中,所述控制器与所述湿度传感器和所述水雾生成装置相连接,所述控制器根据所述湿度值控制所述水雾生成装置的工作频率。


4.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于,所述排气组件包括:
气泵;
排气管,所述排气管的两端分别与所述排气口和所述气泵上的进气端相连接。


5.根据权利要求4所述的硅片处理装置,其特征在于,所述排气组件还包括:
压力传感器,设置于所述腔体中,所述压力传感器被配置为感测所述腔体中的气压值;
其中,所述控制器与所述气泵和所述压力传感器相连接,所述控制器根据所述气压值控制所述气泵的工作频率。


6.根据权利要求2所述的硅片处理装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:左国军成旭邱瑞任金枝
申请(专利权)人:常州捷佳创精密机械有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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