一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记技术

本发明专利技术公开了一种半导体套刻精度的控制方法，该方法包括根据所述主套刻叠层标记获取主量测值；根据所述辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。另外，还公开了一种半导体套刻叠层标记。采用本发明专利技术提高了半导体套刻的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记
本专利技术涉及一种半导体制造工艺，特别涉及一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，半导体制造的工艺尺寸越来越小，对半导体制造精度的要求也越来越高。目前在小尺寸的工艺制程中，为了保证套刻叠层标记能真实反映芯片内的套刻对准行为，套刻叠层标记会采取与芯片中图案一样的设计。但是后续工艺往往会影响套刻叠层标记的质量，导致量测结果错误或者不准确，妨碍制程工艺质量控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记，用以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体套刻精度的控制方法，该方法包括：根据主套刻叠层标记获取主量测值；根据辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。本技术方案在主套刻叠层标记的基础上还设置了辅助套刻叠层标记，在主套刻叠层标记出现偏差时，通过辅助量测标记进行补偿，提高了量测精度。优选的，所述主套刻叠层标记本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：/n根据主套刻叠层标记获取主量测值；/n根据辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；/n基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：
根据主套刻叠层标记获取主量测值；
根据辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；
基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。


2.如权利要求1所述的半导体套刻精度的控制方法，其特征在于：
所述主套刻叠层标记包括异常主套刻叠层标记，根据所述主量测值与预设阈值的比较结果判定所述主套刻叠层标记是否为所述异常主套刻叠层标记。


3.如权利要求2所述的半导体套刻精度的控制方法，其特征在于：所述根据所述主量测值与预设阈值的比较结果判定主套刻叠层标记是否为异常主套刻叠层标记的步骤包括：
所述主量测值包括偏移值和/或Q-Merit值；
所述偏移值和/或Q-Merit值大于所述预设阈值，判定所述主套刻叠层标记是所述异常主套刻叠层标记。


4.如权利要求2-3中任一项所述的半导体套刻精度的控制方法，其特征在于，基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿的步骤包括：
获取所述异常主套刻叠层标记的异常Q-Merit值；
根据所述异常Q-Merit值和所述辅助量测值确定反馈补偿值；
根据所述反馈补偿值进行套刻补偿。


5.如权利要求4所述的半导体套刻精度的控制方法，其特征在于，所述根据所述异常Q-Merit值和所述辅助量测值确定反馈补偿值的步骤，还包括：
根据所述异常主套刻叠层的主量测值和所述辅助套刻叠层标记的辅助量...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34