一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法，包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1‑70％，极性非离子溶剂30‑99％。本发明专利技术不含有腐蚀性的强碱，清洗后无光刻胶残留，可直接水洗，不会产生金属层腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法
本专利技术涉及一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法。
技术介绍
光刻工艺是半导体以及显示领域制造中最为重要的步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片或者其它衬底上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。在光刻过程中，需在衬底上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的正型光刻胶(负型光刻胶为未曝光区被显影去除)将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到衬底上。完成上述图案化转移之后，需要将光刻胶及其残余物清洗干净以便进行下一步的操作。当前的光刻胶剥离液主要成分含有电离较强的有机胺。如下所示:如美国杜邦EKC200系列光刻胶剥离液产品，中国台湾三福三福M15系列等产品，由于含有腐蚀性或者电离较强的有机胺，都需要IPA(异丙醇)、NMP(N-甲基吡咯烷酮)等中间溶剂的润洗，这会造成成本的增加和工艺流程。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1-70％，极性非离子溶剂30-99％。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1-70％，极性非离子溶剂30-99％。


2.根据权利要求1所述的适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：以质量百分比计，非腐蚀性有机胺5-45％，极性非离子溶剂60-98％。


3.根据权利要求1所述的适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：非腐蚀性有机胺选自二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、单异丙醇、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二甘醇胺、三甘醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N’N-二甲基乙醇胺、N’N-二乙基乙醇胺、N-苄基-N-甲基乙醇胺、环已胺、哌嗪、吗啉、羟胺、已内酰胺中的一种或几种。


4.根据权利要求1所述的适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：极性非质子性溶剂选自甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢噻吩砜、乙腈、苄腈、N-甲基-吡咯烷酮、N-乙基-吡咯烷酮、1-环已基-2-吡咯烷酮、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、六亚甲基四胺、碳酸丙烯酯中的一种或几种。


5.根据权利要求1所述的适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：所述光刻胶剥离液还包括缓蚀剂，以质量百分比为计，缓蚀剂0-20％。


6.根据权利要求5所述的适用半导体集成电路的光刻胶剥离液，其特征在于：以质量百分比为计...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江华，冯继恒，尹淞，鲁晨泓，张建，
申请(专利权)人：芯越微电子材料嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33