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本发明公开了一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法，包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1‑70％，极性非离子溶剂30‑99％。本发明不含有腐蚀性的强碱，清洗后无光刻胶残留，可直接水洗，不会产生金属层腐...
该专利属于芯越微电子材料(嘉兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯越微电子材料(嘉兴)有限公司授权不得商用。

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