光刻工艺中晶圆对位方法技术

技术编号:28032606 阅读:20 留言:0更新日期:2021-04-09 23:14
本发明专利技术公开了一种光刻工艺中晶圆对位方法,晶圆上具有对位标记,对位标记上具有光栅图形,晶圆对位方法包括如下步骤:步骤一、采用对位光源扫描整段对位标记,采集整段对位标记对应的衍射光信号形成整段对位信号。步骤二、对整段对位信号进行分段处理并形成各分段对位信号。步骤三、分别计算各分段对位信号的MCC值和WQ值。步骤四、采用MCC值和WQ值最好的分段对位信号来计算对位点从而实现晶圆对位。本发明专利技术能降低晶圆拒收失败率,提高晶圆转动比。

【技术实现步骤摘要】
光刻工艺中晶圆对位方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种光刻工艺中晶圆(wafer)对位(alignment)方法。
技术介绍
集成电路制造主要包括光刻,刻蚀,淀积,薄膜,化学机械研磨(CMP)。光刻是其中最重要的图形形成部门。光刻的图形形成主要是涂胶,曝光和显影。每一步都很重要,缺一不可。光刻的工艺机台(processtool)主要是涂胶显影机(Track)和曝光机台(ExposureTool)。光刻工艺中,晶圆首先会在Track机台中进行涂胶,之后再到曝光机台中进行曝光,曝光完成后再到Track机台中进行显影,显影后形成光刻胶图形。曝光机台主要是利用激光穿过掩模版后将掩模版上的图形投影到晶圆的光刻胶上,从而实现光刻胶的曝光。晶圆往往具有多个光刻层,各光刻层之间需要套准。为了使得各光刻层之间具有良好的套准精度,曝光时需要将掩模版(reticle)上的图形和晶圆进行对准也即对位(alignment),这主要是通过对准工艺实现。对准工艺包括掩模版对准(ReticleAlignme本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于,晶圆上具有对位标记,所述对位标记上具有光栅图形,晶圆对位方法包括如下步骤:/n步骤一、采用对位光源扫描整段所述对位标记,采集整段所述对位标记对应的衍射光信号形成整段对位信号;/n步骤二、对所述整段对位信号进行分段处理并形成各分段对位信号;/n步骤三、分别计算各所述分段对位信号的MCC值和WQ值;/n步骤四、采用MCC值和WQ值最好的所述分段对位信号来计算对位点从而实现晶圆对位。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于,晶圆上具有对位标记,所述对位标记上具有光栅图形,晶圆对位方法包括如下步骤:
步骤一、采用对位光源扫描整段所述对位标记,采集整段所述对位标记对应的衍射光信号形成整段对位信号;
步骤二、对所述整段对位信号进行分段处理并形成各分段对位信号;
步骤三、分别计算各所述分段对位信号的MCC值和WQ值;
步骤四、采用MCC值和WQ值最好的所述分段对位信号来计算对位点从而实现晶圆对位。


2.如权利要求1所述的光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于:在步骤一之前,还包括判断所述对位标记的形貌是否存在损伤,如果存在损伤,则采用开始步骤一并采用上述步骤一至步骤四进行所述晶圆对位。


3.如权利要求2所述的光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于:步骤一之前如果判断所述对位标记的形貌完好,则直接采用采用步骤一中的所述整段对位信号或所述对位标记中心的对位信号进行对位。


4.如权利要求2所述的光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于:如果步骤四中,所述晶圆对位成功,则对所述晶圆进行曝光;
如果所述晶圆对位失败,则拒绝进行所述晶圆的曝光。


5.如权利要求1或2或3或4所述的光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于:所述对位标记为所述晶圆的光刻层对应的前层对位标记。


6.如权利要求5所述的光刻工艺中晶圆对位方法,其特征在于:所述晶圆上形成的半导体器件包括功率器件。

...

【专利技术属性】
技术研发人员:王绪根李玉华吴长明姚振海陈骆
申请(专利权)人:华虹半导体无锡有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1