套刻标记和套刻误差测试方法技术

本发明专利技术涉及一种套刻标记和套刻误差测试方法，该套刻标记包括第一标记图形、第二标记图形和套刻点组。第一套刻标记包括第一标记子图形，第二套刻标记包括第二标记子图形，第一标记图形和第二标记图形交叠位置形成的多个套刻点构成套刻点组。通过对位于第一标记图形和/或第二标记图形外围的第一标记子图形和/或第二标记子图形的长度、位置的设置的规定，可以在无需设置边框的前提下，正确获取套刻标记的边界。因此本发明专利技术的套刻标记有效地避免了当第一标记图形和第二标记图形发生位置偏移时，对套刻标记的边界获取错误，从而实现对具有多层光罩的相邻层之间套刻精度的准确测试。

【技术实现步骤摘要】
套刻标记和套刻误差测试方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种套刻标记和套刻误差测试方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，半导体器件的结构越来越复杂，在集成电路中所包含的器件数量也在逐步增加。随着集成度的不断提高，为了避免器件尺寸的进一步扩大，半导体器件在垂直方向上设置的功能层数量也在不断增加。为了保障垂直设置的各个功能层之间的对准质量，测试每一层光刻工艺制程之间的套刻精度变得极为重要。如果相邻层之间发生位置偏移，将会严重影响器件的连接，导致连线短路、失效率增加等问题。目前业界最常用的套刻标记为BIB(box-in-box或bar-in-bar)，这种BIB结构的套刻标记包括两个部分：在前层光刻步骤中制成的外部框或线条和在当层光刻步骤中制成的内部框或线条。通过量测外部框或线条和内部框或线条之间的位置偏差，计算获得前层和当层的光刻工艺制程之间的套刻误差。但是这种套刻标记只适用于当层和前层结构分别仅包括一层光罩的器件，但是随着半导体制造技术的发展，技术人员往往会在同一功能层中设置两层甚至三层光罩，因此无法针对新的光刻技术提供更加有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种套刻标记，其特征在于，包括：/n第一标记图形，包括沿第一方向延伸、平行等距设置的多个直线型的第一标记子图形，定义晶圆的定位凹槽与中心的连线方向为Y方向，与所述Y方向垂直的方向为X方向，所述第一方向为X方向；/n第二标记图形，包括沿第二方向延伸、平行等距设置的多个直线型的第二标记子图形，所述第二方向为与X方向呈设定角度的方向；/n套刻点组，包括第一标记图形和所述第二标记图形交叠位置形成的多个套刻点；/n位于第一标记图形和/或第二标记图形外围的第一标记子图形和/或第二标记子图形的长度、位置的设置满足：当第二标记图形在设定方向上的设定偏移范围内相对于第一标记图形发生偏移时，都能使所述套刻标记...

【技术特征摘要】
1.一种套刻标记，其特征在于，包括：
第一标记图形，包括沿第一方向延伸、平行等距设置的多个直线型的第一标记子图形，定义晶圆的定位凹槽与中心的连线方向为Y方向，与所述Y方向垂直的方向为X方向，所述第一方向为X方向；
第二标记图形，包括沿第二方向延伸、平行等距设置的多个直线型的第二标记子图形，所述第二方向为与X方向呈设定角度的方向；
套刻点组，包括第一标记图形和所述第二标记图形交叠位置形成的多个套刻点；
位于第一标记图形和/或第二标记图形外围的第一标记子图形和/或第二标记子图形的长度、位置的设置满足：当第二标记图形在设定方向上的设定偏移范围内相对于第一标记图形发生偏移时，都能使所述套刻标记形成整齐的边缘且套刻标记的整体尺寸不变。


2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述套刻标记用于X方向的对准，则以所述设定方向为X方向，则在设定偏移范围内，第二标记图形在沿Y方向的边缘处与第一标记图形交叠形成的套刻点组，沿Y方向对齐。


3.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述套刻标记用于Y方向的对准，则以所述设定方向为Y方向，则在设定偏移范围内，第一标记图形在沿X方向的边缘处总能与第二标记图形交叠。


4.根据权利要求2-3中任一项所述的套刻标记，其特征在于，所述设定10nm～500nm。


5.一种基于权利要求1所述的套刻标记的套刻误差测试方法，包括：
在工艺的前层设置第一套刻标记；
在工艺的当层设置第二套刻标记，所述第二套刻标记与所述第一套刻标记的形状、尺寸和位置均相同；
分别获取所述第一套刻标记和第二套刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹斌，张胜安，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34