温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体套刻精度的控制方法，该方法包括根据所述主套刻叠层标记获取主量测值；根据所述辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。另外，还公开了一种半导体套刻叠层标记。采用本发明提高了半导体套刻的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。