用于测量对准标记的位置的设备和方法技术

一种用于测量衬底上的多个对准标记中的每一个对准标记的位置的设备，包括：照射系统，配置成将来自辐射源的辐射束引导到所述衬底上的多个对准标记上；投影系统，配置成投影来自所述衬底的多个对准标记的图像，所述多个对准标记的图像是由所述辐射束从所述多个对准标记的衍射产生的；光学块，配置成调制来自所述衬底的被投影的多个对准标记的图像，并且其中所述光学块配置成将多个对准标记的被调制的图像投影到感测元件上以产生信号，多个对准标记中的每一个对准标记的位置根据所述信号被并行地确定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于测量对准标记的位置的设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月20日提交的欧洲申请号18189668.9的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及一种用于测量对准标记的位置的设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。随着半导体制造过程继续进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’slaw)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在追寻实现创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量衬底上的多个对准标记中的每一个对准标记的位置的设备，包括：/n照射系统，所述照射系统被配置成将辐射束引导到所述衬底上的所述多个对准标记上，/n投影系统，所述投影系统被配置成投影来自所述衬底的所述多个对准标记的图像，所述多个对准标记的图像是由所述辐射束从所述多个对准标记的衍射产生的；/n光学块，所述光学块被配置成调制来自所述衬底的被投影的所述多个对准标记的图像，并且/n其中所述光学块被配置成将所述多个对准标记的被调制的图像投影到感测元件上，所述感测元件被配置成产生信号，所述多个对准标记中的每一个对准标记的位置根据所述信号被并行地确定。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180820 EP 18189668.91.一种用于测量衬底上的多个对准标记中的每一个对准标记的位置的设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成将辐射束引导到所述衬底上的所述多个对准标记上，
投影系统，所述投影系统被配置成投影来自所述衬底的所述多个对准标记的图像，所述多个对准标记的图像是由所述辐射束从所述多个对准标记的衍射产生的；
光学块，所述光学块被配置成调制来自所述衬底的被投影的所述多个对准标记的图像，并且
其中所述光学块被配置成将所述多个对准标记的被调制的图像投影到感测元件上，所述感测元件被配置成产生信号，所述多个对准标记中的每一个对准标记的位置根据所述信号被并行地确定。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述投影系统被配置成使得所述多个对准标记的图像被同时投影到所述光学块中，并且所述光学块被配置成将所述多个对准标记的被调制的图像同时投影到所述感测元件的不同部分上。


3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备被配置为使得所述多个对准标记的被调制的图像被顺序地投影到所述感测元件上。


4.根据权利要求3所述的设备，其中所述投影系统包括光学元件，其中所述光学元件被配置成将所述多个对准标记的图像顺序地引导到所述光学块中。


5.根据权利要求4所述的设备，其中所述光学元件是能够旋转的反射镜，其中所述能够旋转的反射镜被配置成在一角度范围内旋转，使得所述多个对准标记的图像被所述能够旋转的反射镜顺序地反射到所述光学块中。


6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述感测元件包括多个像素，其中所述感测元件的所述多个像素中的每一个像素被配置成将由被所述辐射束扫描的所述多个对准标记中的每一个对准标记导致的周期性强度变化转换成所述信号，其中所述信号是针对所述多个对准标记中的每一个对准标记的独立的信号。


7.根据权利要求6所述的设备，其中所述光学模块被配置成将所述多个对准标记的被调制的图像中的每一个被调制的图像投影到所述感测元件的所述多个像素中的多于一个像素上，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·V·沃兹纳，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL