闪存的二维数据写入方法及装置制造方法及图纸

一种闪存的二维数据写入方法及装置，该结构主要包括多个闪存模块及一个控制模块，各闪存模块电连接控制模块。控制模块进一步包括多个缓存及一个处理单元，各缓存分别电连接各闪存模块，各缓存还共同电连接处理单元。该处理单元用以对各闪存模块形成多个记忆区间的规划，并且同时赋予不同闪存模块的各记忆区间的存取顺序，从而形成二维存取顺序。处理单元将数据切割成数据包后，依序传至不同缓存，然后由各缓存同时写入所对应连接的记忆区间，由此加快该固态储存装置的存取时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存，特别涉及一种用以提高闪存存取速度的储存方法及装置。
技术介绍
在现代科技快速发展的环境中，计算机在生活中扮演着举足轻重的角色，尤其在迈向信息化作业的各个工作环境里，计算机结合文书、简报、电子表格等各种软硬件，已成为企业不可或缺的设备。在要求便利的如今，可携式信息产品，如随身储存装置，更是个人工作中的一大利器，尤其是在近年来发展非常快速的以固体内存为主轴的随身储存装置。该储存装置除了携带方便的设计结构外，其容量高、存取速度快都是闪存(FLASH MEMORY)的优点，目前已成为可携式储存装置的主流。虽然目前可携式储存装置所使用的闪存本身比起一般机械式储存装置具有存取速度快的优势，但就闪存本身而言，至今仍存在存取速度的限制。就目前而言，现有的固定内存所使用的存取技术是利用连结接口的总线(bus)电连接缓存(buffer)，最后该缓存再电连接闪存，因此总线接收数据后先传送至缓存中，然后再写入闪存的记忆空间。虽然目前所使用的总线传递速度一直在提高，可以不断将资料快速传至缓存，但由于传统的闪存，其内部记忆空间地址具有串联性，因此所有数据的写入都必须按照该记忆空间地址顺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的二维数据写入方法，其结构主要包括多个闪存模块，所述闪存模块是由多个记忆盘构成，所述闪存模块分别电连接缓存，所述缓存电连接处理单元，所述写入方法的步骤包括：ａ）设定所述闪存模块数组的每个记忆区间的地址，所述地址顺序依每个所述闪存模块的顺序而定，对每个对应所述记忆盘的每个所述对应记忆区间依序循环编号；ｂ）切割待存数据为多个不大于一个所述记忆区间容量的数据包；ｃ）将数据包按照各所述记忆区间的顺序写入。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的二维数据写入方法，其结构主要包括多个闪存模块，所述闪存模块是由多个记忆盘构成，所述闪存模块分别电连接缓存，所述缓存电连接处理单元，所述写入方法的步骤包括：a)设定所述闪存模块数组的每个记忆区间的地址，所述地址顺序依每个所述闪存模块的顺序而定，对每个对应所述记忆盘的每个所述对应记忆区间依序循环编号；b)切割待存数据为多个不大于一个所述记忆区间容量的数据包；c)将数据包按照各所述记忆区间的顺序写入。2.如权利要求1所述的闪存的二维数据写入方法，其特征在于，所述方法是以纵向序列为主，横向序列为辅的二维写入方法。3.如权利要求2所述的闪存的二维数据写入方法，其特征在于，所述纵向序列是由不同的所述闪存模块所构成。4.如权利要求2所述的闪存的二维数据写入方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明胜，
申请(专利权)人：宇瞻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]