闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备技术

本发明专利技术提供一种闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备。所述闪存存储设备的数据写入方法包括以下步骤：获取写命令；将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址；按照所述实际逻辑地址执行所述写命令。上述闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备，按照实际逻辑地址执行写命令，可保证对闪存存储设备的每次数据写入操作，其写入的逻辑地址的起始位置都与闪存存储设备的页的起始位置对齐，从而大大提高了闪存存储设备的写入速度，且减少了闪存存储设备的块的磨损，提高了闪存存储设备的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储
，特别是涉及ー种闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备。
技术介绍
闪存存储设备在日常生活中应用越来越普遍。闪存存储设备的写入速度成为衡量闪存存储设备 性能的重要指标，提高闪存存储设备的写入速度将大大提高数据处理效率，有利于扩展闪存存储设备的应用。闪存存储设备的物理构成为每个封装片内包含一个或多个晶粒；每个晶粒中包含多个块；每个块中包含多个页；每个页被用户划分成ー个或多个扇区。物理上，闪存存储设备是以页为単位管理的，而逻辑上则是以扇区为单位管理，ー个页以ー个或多个扇区为一組，分组存放在闪存存储设备芯片中。传统的文件管理系统(如FAT文件系统)对闪存存储设备写入数据的过程是先写目录区、FAT区等隐藏区，再写数据区。而闪存存储设备是以页为最小单位进行管理的，要写入的数据往往并非从闪存存储设备的页开头开始，而是从某页的中部开始写，又在某页的中间结束。由于闪存存储设备的特性，对某页写数据如果不是从该页的开头开始写，就要把该页以及该页所在的块上保存的原有数据搬移到ー个临时块，把要写的数据也写到该临时块对应的页，再把该页所在的块擦除，然后将原有数据和新写数据一起写入该块，整个过程非常耗时，影响了数据的写入效率，还增加了闪存块的磨损。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能提闻与入效率的闪存存储设备的数据与入方法。一种闪存存储设备的数据写入方法，包括以下步骤获取写命令；将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址；按照所述实际逻辑地址执行所述写命令。在其中一个实施例中，在所述获取写命令的步骤之前，还包括步骤预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述逻辑地址的起始位置确定所述页偏移量。在其中一个实施例中，所述预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述起始位置确定页偏移量的步骤具体为对写命令中包含的逻辑地址的起始位置进行采样；将采样的逻辑地址的起始位置与每页包含的扇区数取余；统计取得的余数，将数量最多的余数作为所述页偏移量。在其中一个实施例中，在所述预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述起始位置确定页偏移量的步骤之后，还包括步骤将所述页偏移量存储在闪存存储设备的预设的特定存储区域。在其中一个实施例中，在所述获取写命令的步骤之后，还包括步骤判断所述写命令中包含的逻辑地址的起始地址是否位于页的起始位置，若是，则按照所述写命令中包含的逻辑地址执行所述写命令，若否，则执行将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址执行所述写命令的步骤。此外，还有必要提供一种能提闻与入效率的闪存存储设备。一种闪存存储设备，包括控制模块和闪存芯片，所述控制模块包括接口单元，用于获取写命令； 处理单元，用于将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址；执行单元，用于按照所述实际逻辑地址执行所述写命令。在其中一个实施例中，所述控制模块还包括统计单元，还用于预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述逻辑地址的起始位置确定所述页偏移量。在其中一个实施例中,所述统计单元包括采样子单元，用于对写命令中包含的逻辑地址的起始位置进行采样；取余子单元，用于将采样的逻辑地址的起始位置与每页包含的扇区数取余；页偏移量确定子单元，用于统计取得的余数，将数量最多的余数作为所述页偏移量。在其中一个实施例中，所述闪存芯片设有特定存储区域，所述特定存储区域用于存储所述页偏移量；所述处理单元还用于从所述特定存储区域读取所述页偏移量。在其中一个实施例中，所述控制模块还包括判断单元，用于判断所述写命令中包含的逻辑地址的起始地址是否位于页的起始位置；所述执行单元还用于在所述写命令中包含的逻辑地址的起始地址是位于页的起始位置时，按照所述写命令中包含的逻辑地址执行所述写命令；所述处理单元还用于在所述写命令中包含的逻辑地址的起始地址不是位于页的起始位置，将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址。上述闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备，当执行写命令时，将写命令中的逻辑地址加上预先动态统计分析得到的页偏移量作为实际逻辑地址，按照实际逻辑地址执行写命令，如此可保证对闪存存储设备的每次数据写入操作，其写入的逻辑地址的起始位置都与闪存存储设备的页的起始位置对齐，从而大大提高了闪存存储设备的写入速度，且减少了闪存存储设备的块的磨损，提高了闪存存储设备的性能。附图说明图I为ー个实施例中闪存存储设备的数据写入方法的流程示意图；图2为预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，井根据该逻辑地址的起始位置确定页偏移量的步骤的具体流程示意图；图3为另ー个实施例中闪存存储设备的数据写入方法的流程示意图；图4为ー个实施例中闪存存储设备的内部结构示意图；图5为ー个实施例中控制模块的内部结构示意图；图6为另ー个实施例中控制模块的内部结构示意图；图7为另ー个实施例中控制模块的内部结构示意图。 具体实施例方式下面结合具体的实施例及附图对闪存存储设备的数据写入方法和闪存存储设备的技术方案进行详细的描述，以使其更加清楚。如图I所示，在一个实施例中，一种闪存存储设备的数据写入方法，包括以下步骤步骤SI 10，获取写命令。具体的，闪存存储设备接收到主机对其发送的写命令。步骤S120，将该写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为该写命令的实际逻辑地址。例如，写命令中的逻辑地址为564扇区，预先对闪存存储设备的写命令中包含的逻辑地址的起始位置动态统计而得到的页偏移量为4个扇区，则加上页偏移量后，写命令的逻辑地址为568扇区，将568扇区作为执行该写命令的实际逻辑地址。步骤S130，按照实际逻辑地址执行该写命令。具体的，按照加上页偏移量得到的实际逻辑地址开始进行写命令的操作。在一个实施例中，在步骤SllO之前，还包括步骤预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，井根据该逻辑地址的起始位置确定页偏移量。具体的，动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置是指统计某次写命令之前的历史写命令中包含的逻辑地址的起始位置，记录逻辑地址的起始位置的页偏移量，将统计得到的出现次数最多的页偏移量作为该次写命令的页偏移量。例如，接收到第100次写命令时，动态统计前99次写命令中包含的逻辑地址的起始位置的页偏移量，如页偏移量3出现最多，则将3作为第100次写命令的页偏移量。在一个实施例中，如图2所示，预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，井根据该逻辑地址的起始位置确定页偏移量的步骤具体为步骤S210，对写命令中包含的逻辑地址的起始位置进行采样。具体的，对主机发送的写命令中包含的逻辑地址的起始位置采样，采样数量可为100或200等，采样数量越多，确定的页偏移量越准确。步骤S220，将采样的逻辑地址的起始位置与每页包含的扇区数取余。具体的，将采样的每个逻辑地址的起始位置与每页包含的扇区数取余。例如，采样的5个逻辑地址的起本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储设备的数据写入方法，包括以下步骤 获取与命令； 将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址； 按照所述实际逻辑地址执行所述写命令。2.根据权利要求I所述的闪存存储设备的数据写入方法，其特征在于，在所述获取写命令的步骤之前，还包括步骤 预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述逻辑地址的起始位置确定所述页偏移量。3.根据权利要求2所述的闪存存储设备的数据写入方法，其特征在于，所述预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述起始位置确定页偏移量的步骤具体为 对写命令中包含的逻辑地址的起始位置进行采样； 将采样的逻辑地址的起始位置与每页包含的扇区数取余； 统计取得的余数，将数量最多的余数作为所述页偏移量。4.根据权利要求2或3所述的闪存存储设备的数据写入方法，其特征在于，在所述预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置，并根据所述起始位置确定页偏移量的步骤之后，还包括步骤 将所述页偏移量存储在闪存存储设备的预设的特定存储区域。5.根据权利要求I至3中任一项所述的闪存存储设备的数据写入方法，其特征在于，在所述获取写命令的步骤之后，还包括步骤 判断所述写命令中包含的逻辑地址的起始地址是否位于页的起始位置，若是，则按照所述写命令中包含的逻辑地址执行所述写命令，若否，则执行将所述写命令中的逻辑地址加上预先动态统计写命令中包含的逻辑地址的起始位置而得到的页偏移量作为所述写命令的实际逻辑地址执行所述写命令的步骤。6.一种闪存存储设备，包括控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓恩华，李志雄，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：