NAND闪存控制器及其写入控制方法技术

本申请公开了一种NAND闪存控制器的写入控制方法，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一。第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息。第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据。第4步，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低。第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。本申请可以对NAND闪存的写入操作以页为单位进行均衡管理，延长NAND闪存的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存控制器及其写入控制方法
本申请涉及一种NAND闪存控制器。
技术介绍
闪存(flash)是一种常见的非易失性存储器。根据存储单元的连接方式不同，闪 存分为NOR闪存和NAND闪存。NOR闪存的存储单元是并行连接的，且具有独立的地址线和 数据线，可以直接寻址每一个存储单元。NAND闪存的存储单元是串行连接的，且地址线和数 据线共用，不能直接寻址每一个存储单元。NAND闪存被分为若干块(block)，每个块被分为若干页(page)，每个页包含若干 字节(byte)，每个字节为8比特(bit)。NAND闪存以页为单位进行读取和写入，以块为单位 进行擦除。NAND闪存依赖FN隧穿(Fowler-Nordheim Tunneling)效应写入和擦除数据,其 平均写入/擦除循环次数在10万次左右(SLC型)、I万次左右(MLC型)、1000次左右(TLC 型)。其中SLC型、MLC型、TLC型分别表示每个存储单元可存储I个、2个和3个比特。请参阅图1，这是NAND闪存控制器的一个示例。NAND闪存100与主机300之间由 NAND闪存控制器200进行连接。所述NAND闪存100用于存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一；第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息；第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据；第4步，在当前待写入数据是非重要数据的情况下，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低；第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。

【技术特征摘要】
1.ー种NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，包括如下步骤 第I步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之ー； 第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息； 第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据； 第4步，在当前待写入数据是非重要数据的情况下，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低； 第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。2.根据权利要求1所述的NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，所述方法第I步采用的分类方法为先向NAND闪存的所有页写入固定数据，再读取所有页的数据；将读取数据与写入数据做比较，统计出每页的错误比特数；将错误比特数 > 第一阈值的页地址划归为误比特率高的页地址空间，将错误比特数 < 第一阈值的页地址划归为误比特率低的页地址空间；错误比特数=第一阈值的页地址或者划归为误比特率高的页地址空间，或者划归为误比特率低的页地址空间。3.根据权利要求2所述的NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，用于产生所述固定数据的算法包括March、March C、March C+。4.根据权利要求2所述的NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，所述第一阈值为4比特X页大小/512字节。5.根据权利要求2所述的NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，所述可用页是指该页的所有ECC编码单位的错误比特数均低于ECC解码单元所能纠...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秀荪，李琳，黎骅，毛天然，
申请(专利权)人：锐迪科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：