产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频产生器制造技术

描述了一种产生高频射频(RF)信号的高频RF产生器。不需要产生低频RF信号的另一低频RF产生器。低频RF信号在高频RF产生器内预放大以输出经预放大的低频RF信号。类似地，高频RF信号在高频RF产生器内预放大以输出经预放大的低频RF信号。高频RF产生器组合经预放大的低频RF与经预放大的高频RF信号以提供经组合的RF信号。经组合的RF信号在高频RF产生器内放大以将经放大的信号供给至匹配装置。也不需要用于低频RF产生器的另一匹配装置。低频RF产生器的另一匹配装置。低频RF产生器的另一匹配装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频产生器


[0001]本专利技术的实施方案涉及用于产生经调制的频率或经相互调制的频率射频(RF)产生器。

技术介绍

[0002]一般而言，处理反应器用于处理在晶片(例如硅晶片)上的操作。这些晶片通常在各种反应器中进行多次处理以在其上形成集成电路。这些处理操作中的一些例如涉及在晶片的选择的表面或层上沉积材料。
[0003]一种这样的反应器是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应器。例如，PECVD反应器可用于沉积绝缘膜，如沉积氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)及其他材料。取决于被沉积的膜的类型，在供给射频(RF)功率时将特定反应气体导入PECVD反应器以产生能沉积的等离子体。RF功率通过多个RF产生器产生并且通过对应的多个匹配盒提供至多个PECVD反应器的多个电极。
[0004]就是在这种背景下，出现了本公开内容中所描述的实施方案。

技术实现思路

[0005]本公开内容的实施方案包含用于提供用于产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频射频(RF)产生器，其包含：低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号，其中所述高频预放大器被配置成放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号；低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号，其中所述低频预放大器被配置成放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号；组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号，其中所述组合器耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号乘上所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号；以及输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子，其中所述输出放大器被配置成放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路。2.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号的电压乘上所述经放大的高频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号，其中所述经组合的RF信号具有包络，所述包络具有所述低频RF信号的频率，其中所述经组合的RF信号具有所述高频RF信号的频率。3.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含外壳，所述外壳包含所述低频振荡器、所述高频振荡器、所述低频预放大器、所述高频预放大器、所述组合器以及所述输出放大器。4.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其中所述低频振荡器被配置成在从100千赫(kHz)至3兆赫(MHz)并且包含100kHz和3MHz的频率范围内振荡，且所述高频振荡器被配置成在从10MHz至100MHz并且包含10MHz和100MHz的频率范围内振荡。5.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含：第一反馈增益控制器，其耦合至所述高频预放大器的所述输出端子以及所述高频振荡器的所述输出端子，其中所述第一反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的高频RF信号的增益的量；以及第二反馈增益控制器，其耦合至所述低频预放大器的所述输出端子以及所述低频振荡器的所述输出端子，其中所述第二反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的低频RF信号的增益的量。6.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含：反馈增益控制器，其耦合至所述输出放大器的输出端子以及所述组合器的所述输出端子，其中所述反馈增益控制器被配置成控制提供至所述经组合的RF信号的增益的量。7.一种高频射频(RF)产生器，其包含：低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号，其中所述高频预放大器被配置成放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号；低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号，其中所
述低频预放大器被配置成放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号；组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号，其中所述组合器耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号加上所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号；以及输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子，其中所述输出放大器被配置成放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路。8.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号的电压加上所述经放大的高频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号，其中所述经组合的RF信号具有包络，所述包络具有所述低频RF信号的频率，其中所述经组合的RF信号具有所述高频RF信号的频率。9.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其还包含外壳，所述外壳包含所述低频振荡器、所述高频振荡器、所述低频预放大器、所述高频预放大器、所述组合器以及所述输出放大器。10.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其中所述低频振荡器被配置成在从100千赫...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：