SiC半导体装置制造方法及图纸

一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，上述SiC半导体层包含SiC单晶、且具有作为元件形成面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接上述第一主面和上述第二主面的多个侧面，多个上述改质线在上述SiC半导体层的各上述侧面各形成1层、分别沿上述SiC半导体层的上述第一主面的切线方向以带状延伸、且被改质为与上述SiC单晶不同的性质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC半导体装置
本专利技术涉及SiC半导体装置。
技术介绍
近年来，称为隐形切割法的SiC半导体晶圆的加工方法受到关注。隐形切割法中，对SiC半导体晶圆选择性照射激光后，沿经激光照射的部分而将SiC半导体晶圆切断。根据该方法，不使用切割刀片等切断构件即能够将具有较高硬度的SiC半导体晶圆切断，因而能够缩短制造时间。专利文献1公开了利用隐形切割法的SiC半导体装置的制造方法。专利文献1的制造方法中，在从SiC半导体晶圆切出的SiC半导体层的各侧面的整个区域形成了多行的改质区域(改质层)。多行的改质区域沿SiC半导体层的主面的切线方向延伸，且在SiC半导体层的主面的法线方向上留有间隔地形成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-146878号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题改质线通过将SiC半导体层的SiC单晶改质成其他性质而形成。因此，考虑到由于改质线而对SiC半导体层造成的影响，并不希望在SiC半导体层的侧面的整个区域形成多个改质线。作为由于改质线而对SiC半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，/n所述SiC半导体层包含SiC单晶，且具有作为元件形成面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的多个侧面，/n多个所述改质线在所述SiC半导体层的各所述侧面各形成1层，分别沿所述SiC半导体层的所述第一主面的切线方向以带状延伸，且被改质为与所述SiC单晶不同的性质。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180810 JP 2018-151450;20180810 JP 2018-151451;201.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，
所述SiC半导体层包含SiC单晶，且具有作为元件形成面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的多个侧面，
多个所述改质线在所述SiC半导体层的各所述侧面各形成1层，分别沿所述SiC半导体层的所述第一主面的切线方向以带状延伸，且被改质为与所述SiC单晶不同的性质。


2.根据权利要求1所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层具有40μm以上200μm以下的厚度。


3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述第二主面由研磨面构成。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC半导体装置，各所述改质线从所述SiC半导体层的所述第一主面向所述第二主面侧、与所述第一主面留有间隔地形成。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC半导体装置，各所述改质线从所述SiC半导体层的所述第二主面向所述第一主面侧、与所述第二主面留有间隔地形成。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层包含连接2个所述侧面的拐角部，
多个所述改质线包含在所述SiC半导体层的所述拐角部相连的2个所述改质线。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的SiC半导体装置，多个所述改质线以环绕所述SiC半导体层的方式一体地形成。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的SiC半导体装置，各所述改质线以直线状或曲线状延伸。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的SiC半导体装置，各所述改质线包含分别在所述SiC半...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野真弥，中野佑纪，春山沙和，川上泰宏，中泽成哉，久津间保德，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP