【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在晶片等基板形成多个放射出光的半导体装置。对该基板实施沿半导体装置的谐振器长度方向以装置的间隔为单位进行分割的解理这样的处理。解理为对放射出光的面进行制作的方法。通过解理能够实现光学上平坦的面。解理的难度容易受基板的厚度左右。在厚的基板的情况下，解理本身变得困难，在薄的基板的情况下，基板的搬运变得困难。在专利文献1中公开了准备具有背面的基板生产物，通过向基板生产物的背面的推压，从而形成其它基板生产物和半导体棒，其中，该背面具有多个第1槽及多个第2槽，该基板生产物包含在各个元件区段设置的光波导所用的半导体构造体。专利文献1：日本特开2017-17193号公报
技术实现思路
在将晶片等基板安装于用于解理的装置时，多数是使基板的表面侧位于下方，使背面侧位于上方。在基板的背面形成电极。但是，为了使解理的分离性提高，有时在基板背面侧的产生了解理裂纹的区域不形成电极。即，在基板的背面残留有露出了基板的部分。如果在该状态下进行解理，则...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，/n具有下述步骤：/n在形成了有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将比所述基板脆性小的层叠物设置为在所述第1电极和所述第2电极之间的区域的一部分位于所述有源区域的正下方；以及/n在使所述层叠物位于所述有源区域的正上方的状态下，将所述基板与所述层叠物一起进行解理。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有下述步骤：
在形成了有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将比所述基板脆性小的层叠物设置为在所述第1电极和所述第2电极之间的区域的一部分位于所述有源区域的正下方；以及
在使所述层叠物位于所述有源区域的正上方的状态下，将所述基板与所述层叠物一起进行解理。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述层叠物形成于所述有源区域的整个正下方。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述层叠物的材料与所述第1电极及所述第2电极的材料相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述解理推进的方向上的所述层叠物的长度比所述解理推进的方向上的所述有源区域的长度大。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述解理推进的方向上的所述层叠物的长度大于或等于所述解理推进的方向上的所述有源区域的长度的2倍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述层叠物与所述第1电极和所述第2电极分离。
技术研发人员：吉野达郎，铃木正人，根岸将人，吉川兼司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。