【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于金属互连层的中间层相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月26日提交的美国临时申请No.62/648,035的权益。以上申请的全部公开内容通过引用合并于此。
本公开涉及在衬底处理系统中用于金属互连层的黏附层的沉积。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。在诸如半导体晶片之类的衬底的处理期间，执行各种衬底处理，包括沉积、图案化、蚀刻、光致抗蚀剂去除等。用于执行沉积的衬底处理系统通常包括具有衬底支撑件的处理室，该衬底支撑件例如是基座、静电卡盘(ESC)等。衬底被布置在衬底支撑件上，并且一种或多种工艺气体(例如，前体气体、载气等)可以使用气体输送系统引入处理室。在一些示例中，工艺使用包括但不限于化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺来在衬底上沉积薄膜。在一些示例中，例如在等离子体增强CVD(PE...
【技术保护点】
1.一种在衬底上沉积金属互连层的方法，所述方法包括：/n将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；/n在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层，其中沉积所述中间层包括供应金属-有机前体，所述金属-有机前体包括具有金属-硅化物(M-Si)键的第一材料；以及/n在所述中间层上沉积所述金属互连层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 US 62/648,0351.一种在衬底上沉积金属互连层的方法，所述方法包括：
将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；
在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层，其中沉积所述中间层包括供应金属-有机前体，所述金属-有机前体包括具有金属-硅化物(M-Si)键的第一材料；以及
在所述中间层上沉积所述金属互连层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属互连层包括与所述中间层的M-Si键相同的金属。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括对应于二氧化硅(SiO2)层、低k介电层、超低k(ULK)介电层、热氧化物(TOx)层、氮化硅(SiN)层、硅层或金属氧化物(例如，MOx)介电层中的至少一者的下伏层，并且所述中间层沉积在所述下伏层上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述中间层还包括与所述金属-有机前体一起供应硅烷、氨气、氢气、氯气、溴气、氟气、氩气和氦气中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述中间层还包括在将所述金属-有机前体供应至所述处理室的同时激活所述处理室中的等离子体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述中间层包括交替地供应所述金属-有机前体和激活所述处理室中的等离子体。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理室处于以下两者中的至少一者的同时，供应所述金属-有机前体：保持在大于或等于300℃和被加热到大于或等于300℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述中间层包括交替地供应所述金属-有机前体和激活所述处理室内的光照射。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层的厚度介于0.3nm和300nm之间。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属M包括钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、钌(Ru)、铝(Al)、铬(Cr)、镁(Mg)和铱(Ir)中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属-有机前体包括四羰基(三氯甲硅烷基)钴。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述中间层是MxSiy膜，并且其中，x和y是整数。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述MxSiy膜是CoxSiy膜。
14.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属互连层包括使用化学气相沉积、原子层沉积和无电沉积中的至少一种来沉积所述金属互连层。
15.一种用于在布置在处理室中的衬底支撑件上的衬底上沉积金属互连层的系统，该系统包括：
气体输送系统，其被配置成将一种或多种工艺气体供应到处理室；...
【专利技术属性】
技术研发人员：游正义，萨曼莎·西亚姆华·坦，鲍里斯·沃洛斯基，阿图尔·科利奇，潘阳，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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