一种碳化硅欧姆接触的制备方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅欧姆接触的制备方法
本专利技术涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法。
技术介绍
碳化硅材料是一种性能优异的宽禁带半导体，其不但具有宽带隙(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5倍)等特点，还具有极好的物理及化学稳定性、极强的抗辐照能力和机械强度等，因此，在高温、高频、大功率电子器件领域中都得到了广泛的应用。当金属与半导体接触具有线性的电流-电压或其接触电阻相对于半导体主体可以忽略时称之为欧姆接触，欧姆接触是任何一个半导体器件与外部元器件和电路元件相连接的部分，金属/碳化硅半导体欧姆接触是构成碳化硅器件最基本也是最重要的结构，其质量直接影响碳化硅器件的效率、增益和开关速度等性能指标，因此，制备良好的碳化硅欧姆接触是提高碳化硅器件性能和可靠性的基础。但是，由于碳化硅的半导体禁带宽度大，而具有足够低的功函数以获得低势垒的金属又非常少，再加上碳化硅表面态的影响，使得制备良好的碳化硅欧姆接触远比其他半导体困难，因此，提供一种碳化硅欧姆接触的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n对碳化硅样片进行标准清洗；/n采用非反应性等离子体对所述碳化硅样片进行离子轰击；/n在所述碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；/n对所述制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
对碳化硅样片进行标准清洗；
采用非反应性等离子体对所述碳化硅样片进行离子轰击；
在所述碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；
对所述制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非反应性等离子体为氩离子、硅离子、碳离子中的至少一种。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述采用非反应性等离子体对所述碳化硅样片进行离子轰击包括：
在1-10mTorr的压力、10-100W的能量下，使非反应性等离子体在碳化硅样片上作用1-10分钟。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅样片为碳化硅半导体材料。


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【专利技术属性】
技术研发人员：夏经华，桑玲，田亮，查祎英，张文婷，田丽欣，安运来，牛喜平，罗松威，杨霏，吴军民，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，国家电网有限公司，国网江苏省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11