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本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院授权不得商用。