扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种扩片方法，该方法包括：贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13)；扩片工序，使粘合片(10)伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及能量射线照射工序，对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线，以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化，所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片
本专利技术涉及扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片。
技术介绍
近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(ChipScalePackage；CSP)。作为CSP之一，可以举出晶片级封装件(WaferLevelPackage；WLP)。在WLP中，在通过切割进行单片化之前，在晶片形成外部电极等，最终将晶片切割而进行单片化。作为WLP，可以列举扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下，有时简称为“FO-WLP”)中，将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。例如，专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法，该方法包括：对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片，保留其电路形成面，使用模具构件将其周围包围而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扩片方法，该方法包括：/n贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片的第一粘合剂层或第二粘合剂层；/n扩片工序，使所述粘合片伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及/n能量射线照射工序，对所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层照射能量射线，以使所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层固化，/n所述粘合片具有：/n含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层、/n含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层、以及/n所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间的基材。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180307 JP 2018-0407971.一种扩片方法，该方法包括：
贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片的第一粘合剂层或第二粘合剂层；
扩片工序，使所述粘合片伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及
能量射线照射工序，对所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层照射能量射线，以使所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层固化，
所述粘合片具有：
含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层、
含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层、以及
所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间的基材。


2.根据权利要求1所述的扩片方法，其中，所述第一能量射线固化性树脂与所述第二能量射线固化性树脂相同。


3.根据权利要求1或2所述的扩片方法，其中，所述第一粘合剂层的组成与所述第二粘合剂层的组成相同。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的扩片方法，其中，所述第一粘合剂层的厚度与所述第二粘合剂层的厚度相同。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的扩片方法，其中，
在所述贴合工序中，将所述多个被粘附物贴合于所述第一粘合剂层，
在所述能量射线照射工序中，从所述第二粘合剂层侧照射能量射线，以使所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层固化。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的扩片方法，其中，所述被粘附物为半导体芯片。


7.一种半导体装置的制造方法，其包括权利要求1～6中任一项所述的扩片方法，
其中，该制造方法包括对贴合于切割用粘合片的被加工物进行切割而得到单片化后的多个被粘附物的工序，
在所述贴合工序中，在所述多个被粘附物的和与所述切割用粘合片相接的面为相反侧的一面贴合所述粘合片的所述第一粘合剂层或所述第二粘合剂层，
在所述贴合工序之后，实施将所述切割用粘合片与所述多个被粘附物分离的工序。


8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在将所述切割用粘合片与所述多个被粘附物分离之后，实施所述扩片工序。

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【专利技术属性】
技术研发人员：稻男洋一，冈本直也，山田忠知，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP