切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法技术

一种切割用粘着胶带，其具备基材和层叠于基材上的有机硅系粘着剂层，在将具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料分割成多个半导体芯片时使用，有机硅系粘着剂层以加成反应型有机硅系粘着剂为主剂，且包含光敏铂(Pt)催化剂和针对加成反应型有机硅系粘着剂的交联剂，有机硅胶料与有机硅树脂的质量比为35/65～50/50的范围，具有烯基的有机硅胶料在有机硅胶料和有机硅树脂的合计质量中的含有比率为35质量％以上且50质量％以下的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及在作为半导体芯片材料的半导体材料的切割中使用的切割用粘着胶带、和使用了切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。
技术介绍
以往，作为用于制作具有LED(发光二极管，LightEmittingDiode)等的半导体芯片的切割用粘着胶带，已知具有由丙烯酸系树脂构成的粘接剂层的粘着胶带(参照专利文献1)。另外，作为用于制作具有LED等的半导体芯片的切割用粘着胶带，已知具有由有机硅系树脂构成的粘着剂层的粘着胶带(参照专利文献2、专利文献3)。进一步，作为使用切割用粘着胶带来制作半导体芯片的方法，已知如下方法：将粘着胶带粘贴于在基板上形成有多个半导体元件的半导体元件基板的基板侧，通过切割机将半导体元件基板切断(参照专利文献4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-38408号公报专利文献2：日本特开2015-050216号公报专利文献3：日本特开2016-122812号公报专利文献4：日本特开2005-93503号公报<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割用粘着胶带，其特征在于，/n其具备基材和层叠于该基材的有机硅系粘着剂层，在将具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料分割成多个半导体芯片时使用，/n所述有机硅系粘着剂层以加成反应型有机硅系粘着剂为主剂，且包含光敏铂(Pt)催化剂和针对该加成反应型有机硅系粘着剂的交联剂，/n所述有机硅系粘着剂层中所含的有机硅胶料G的总质量Gw与有机硅树脂R的总质量Rw的质量比Gw/Rw为35/65～50/50的范围，具有烯基的有机硅胶料G1在该有机硅胶料G和该有机硅树脂R的合计质量中的含有比率为35质量％以上且50质量％以下的范围，/n所述切割用粘着胶带在依据JIS Z 0237(2009)的粘...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180903 JP 2018-1644111.一种切割用粘着胶带，其特征在于，
其具备基材和层叠于该基材的有机硅系粘着剂层，在将具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料分割成多个半导体芯片时使用，
所述有机硅系粘着剂层以加成反应型有机硅系粘着剂为主剂，且包含光敏铂(Pt)催化剂和针对该加成反应型有机硅系粘着剂的交联剂，
所述有机硅系粘着剂层中所含的有机硅胶料G的总质量Gw与有机硅树脂R的总质量Rw的质量比Gw/Rw为35/65～50/50的范围，具有烯基的有机硅胶料G1在该有机硅胶料G和该有机硅树脂R的合计质量中的含有比率为35质量％以上且50质量％以下的范围，
所述切割用粘着胶带在依据JISZ0237(2009)的粘着特性中满足所有下述条件(a)～(c)：
(a)光照射前对BA-SUS试验板的粘着力为2.4N/10mm以上且5.5N/10mm以下，
(b)关于倾斜角30°、温度23℃、相对湿度50％RH的倾斜式球粘性试验中的球号的值，在将光照射前的球号的值设为BN0、光照射后的球号的值设为BN1时，为BN0＞BN1的关系，
(c)在温度40℃、相对湿度33％RH、放置时间5000分钟的光照射后的保持力试验中，落下时的破坏现象是指所述有机硅系粘着剂层与BA-SUS试验板的界面剥离、或在该保持力试验中不落下。


2.根据权利要求1所述的切割用粘着胶带，其特征在于，对于将多个所述半导体元件利用由有机硅树脂构成的所述被覆材密封而成的所述半导体材料，从该被覆材侧粘贴来使用。


3.一种切割用粘着胶带，其特征在于，
其具备基材和层叠于该基材的有机硅系粘着剂层，在将具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料分割成多个半导体芯片时使用，
所述有机硅系粘着剂层以加成反应型有机硅系粘着剂与过氧化物固化型有机硅系粘着剂的混合物为...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田晃良，下田敬之，酒井贵广，
申请(专利权)人：麦克赛尔控股株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP