半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在半导体基板(1)的主面之上形成覆盖半导体器件(5)及半导体基板(1)的切割线(7)的树脂膜(8)，以不除去切割线(7)之上的树脂膜(8)的方式除去第1电极(2)周围的树脂膜(8)、除去第2电极(3、4)之上的树脂膜(8)而形成第1接触孔(9)。将树脂薄膜(11)粘贴于树脂膜(8)的上表面而在第1电极(2)周围形成中空构造(12)。将树脂薄膜(11)图案化，同时形成与第1接触孔(9)连接的第2接触孔(13)和切割线(7)上方的第1开口(14)。在形成了第1开口(14)后沿切割线(7)对半导体基板(1)进行切割。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
为了实现半导体装置的高集成化和小型化，使用了重复层叠树脂膜和金属配线的多层配线构造。但是，由于树脂膜而导致寄生电容增加，半导体器件的电气特性变差。特别是，在具有Y型或T型的栅极电极的半导体装置的情况下，树脂填充到栅极电极的檐之下而导致寄生电容增加，高频特性的增益变差。相对于此，提出了如下方法，即，通过将覆盖半导体器件的树脂膜图案化而除去栅极电极周围的树脂膜，将树脂薄膜粘贴于树脂膜的上表面，从而在栅极电极周围形成中空构造(例如，参照专利文献1)。通过形成中空构造，从而与填充有树脂膜的情况相比，特性格外地提高。专利文献1：日本特开2016-39319号公报
技术实现思路
当前，在将树脂膜图案化时也除去了切割线之上的树脂膜。因此，树脂薄膜与树脂膜的接触面积变小，所以密合力变弱。另外，树脂薄膜被支撑薄膜支撑，在将树脂薄膜粘贴于树脂膜后需要从树脂薄膜剥离支撑薄膜。但是，由于树脂薄膜与支撑薄膜的密合力比树脂薄膜与树脂膜的密合力强，因此在从树脂薄膜剥离支撑薄膜时有时产生树脂薄膜的翘起或脱落。另外，还存在粘贴的树脂薄膜埋入至中空部的情况。其结果，存在产品的成品率降低这样的问题。本专利技术就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于得到能够使产品的成品率提高的半导体装置的制造方法。本专利技术涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有如下工序：在半导体基板的主面形成具有第1及第2电极的半导体器件；在所述半导体基板的所述主面之上形成覆盖所述半导体基板的切割线及所述半导体器件的树脂膜，以不除去所述切割线之上的所述树脂膜的方式除去所述第1电极周围的所述树脂膜、除去所述第2电极之上的所述树脂膜而形成第1接触孔；将与所述第1及第2电极分离并且覆盖所述第1及第2电极上方的感光性树脂薄膜粘贴于所述树脂膜的上表面而在所述第1电极周围形成中空构造；对所述感光性树脂薄膜进行曝光及显影，同时形成与所述第1接触孔连接的第2接触孔和所述切割线上方的第1开口；形成经由所述第1及第2接触孔连接于所述第2电极的配线；以及在形成了所述第1开口后沿所述切割线对所述半导体基板进行切割。专利技术的效果在本专利技术中，在将树脂膜图案化时没有除去切割线之上的树脂膜。因此，树脂薄膜与树脂膜的接触面积增加，所以密合力提高，能够防止树脂薄膜的翘起及脱落。另外，由于树脂薄膜被树脂膜牢固地支撑，因此还能够防止埋入。其结果，能够使产品的成品率提高。附图说明图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图5是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图6是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图7是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图8是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图9是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图10是表示对比例涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图11是表示对比例涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图12是表示对比例涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图13是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图14是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图15是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图16是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图17是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。图18是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。具体实施方式参照附图对实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。实施方式1.图1至图9是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。首先，如图1所示，在半导体基板1的主面形成半导体器件5，该半导体器件5具有栅极电极2、源极电极3及漏极电极4。通过耐湿性高的绝缘膜6覆盖半导体器件5。在源极电极3、漏极电极4及切割线7之上的绝缘膜6开设开口。接下来，在半导体基板1的主面之上通过旋涂机对感光性树脂膜8进行涂敷，该感光性树脂膜8覆盖半导体器件5及半导体基板1的切割线7。通过曝光及显影对感光性树脂膜8进行图案化，以不除去切割线7之上的感光性树脂膜8的方式，除去栅极电极2周围的感光性树脂膜8，除去源极电极3及漏极电极4之上的感光性树脂膜8而形成第1接触孔9。之后，进行热固化处理而使感光性树脂膜8固化。接下来，如图2所示，使用层压法或STP法，将被支撑薄膜10支撑的感光性树脂薄膜11粘贴于感光性树脂膜8的上表面。感光性树脂薄膜11与栅极电极2、源极电极3及漏极电极4分离并且将栅极电极2、源极电极3及漏极电极4上方覆盖。接下来，如图3所示，从感光性树脂薄膜11剥离支撑薄膜10。由此，如图4所示，在栅极电极2周围形成中空构造12。接下来，如图5所示，通过曝光及显影将感光性树脂薄膜11图案化，同时形成与第1接触孔9连接的第2接触孔13和切割线7上方的第1开口14。之后，进行热固化处理而使感光性树脂薄膜11固化。接下来，如图6所示，在整面依次形成绝缘膜15及抗蚀层16，在切割线7上方在抗蚀层16开设开口。接下来，进行将抗蚀层16用作掩模的干蚀刻。由此，如图7所示，除去切割线7之上的绝缘膜15及感光性树脂膜8而形成第2开口17。通过预先除去切割线7上方的感光性树脂薄膜11，从而通过干蚀刻除去的膜的膜厚度变薄，因此干蚀刻变得容易。之后，将用作掩模的绝缘膜15及抗蚀层16除去。接下来，如图8所示，通过镀敷或蒸镀法形成经由第1及第2接触孔9、13连接于源极电极3及漏极电极4的配线18。接下来，使用切割刀片19沿切割线7对半导体基板1进行切割。其结果，如图9所示，将各个芯片分离。接着，与对比例进行对比而说明本实施方式的效果。图10至图12是表示对比例涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。在对比例中，如图10所示，在将感光性树脂膜8图案化时除去切割线7之上的感光性树脂膜8。接下来，如图11所示将感光性树脂薄膜11粘贴于感光性树脂膜8的上表面。接下来，如图12所示对感光性树脂薄膜11进行曝光及显影。在对比例中，通过除去切割线7之上的感光性树脂膜8，从而感光性树脂薄膜11与感光性树脂膜8的接触面积变小，因此密合力变弱。因此，在从感光性树脂薄膜11剥离支撑薄膜10时有时产生感光性树脂薄膜11的翘起或脱落。另外，还存在粘贴的感光性树脂薄膜11埋入至中空部的情况。其结果，存在产品的成品率降低这样的问题。相对于此，在本实施方式中，在将感光性树脂膜8图案化时没有除去切割线7之上的感光性树脂膜8。因此，感光性树脂薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：/n在半导体基板的主面形成具有第1及第2电极的半导体器件；/n在所述半导体基板的所述主面之上形成覆盖所述半导体基板的切割线及所述半导体器件的树脂膜，以不除去所述切割线之上的所述树脂膜的方式除去所述第1电极周围的所述树脂膜、除去所述第2电极之上的所述树脂膜而形成第1接触孔；/n将与所述第1及第2电极分离并且覆盖所述第1及第2电极上方的树脂薄膜粘贴于所述树脂膜的上表面而在所述第1电极周围形成中空构造；/n将所述树脂薄膜图案化，同时形成与所述第1接触孔连接的第2接触孔和所述切割线上方的第1开口；/n形成经由所述第1及第2接触孔连接于所述第2电极的配线；以及/n在形成了所述第1开口后沿所述切割线对所述半导体基板进行切割。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在半导体基板的主面形成具有第1及第2电极的半导体器件；
在所述半导体基板的所述主面之上形成覆盖所述半导体基板的切割线及所述半导体器件的树脂膜，以不除去所述切割线之上的所述树脂膜的方式除去所述第1电极周围的所述树脂膜、除去所述第2电极之上的所述树脂膜而形成第1接触孔；
将与所述第1及第2电极分离并且覆盖所述第1及第2电极上方的树脂薄膜粘贴于所述树脂膜的上表面而在所述第1电极周围形成中空构造；
将所述树脂薄膜图案化，同时形成与所述第1接触孔连接的第2接触孔和所述切割线上方的第1开口；
形成经由所述第1及第2接触孔连接于所述第2电极的配线；以及
在形成了所述第1开口后沿所述切割线对所述半导体基板进行切割。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在将被支撑薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田和弘，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP