本发明专利技术提供一种半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置。本发明专利技术更廉价地提供一种简化了搭载衬垫主体部和外部电极主体部的结构、不对磁产生感应的具备搭载衬垫主体部和外部电极主体部的半导体装置用基板。本发明专利技术的半导体装置用基板在基板(16)的表面形成有外部电极(3)。外部电极(3)具备：形成于基板(16)表面的第三表面层(7)、形成于第三表面层(7)表面的外部电极主体部(9)、以及形成于外部电极主体部(9)表面的第四表面层(13)。外部电极(3)的外部电极主体部(9)由非磁性的Ni－P形成。性的Ni－P形成。性的Ni－P形成。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置
[0001]本专利技术涉及在基板上形成有搭载衬垫、外部电极的半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法、以及使用该半导体装置用基板且安装有半导体元件并对半导体元件以及外部电极等进行树脂密封的半导体装置。
技术介绍
[0002]在本专利技术的半导体装置用基板中，由非磁性的Ni
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P形成搭载衬垫和外部电极的主体部，但在专利文献1的半导体装置中公开了具备Ni
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P层的搭载衬垫、外部电极。专利文献1的半导体装置中，半导体元件和外部电极被密封在树脂中，由非磁性的Cu层形成搭载衬垫的搭载衬垫主体部和外部电极的电极主体部，在Cu层与在半导体装置的安装面侧露出的表面层之间具备非磁性的Ni－P层。表面层是在未被抗蚀剂体覆盖的基板上电铸Au而形成的，Ni
‑
P层是在Au层上实施无电解镀处理而形成的。Cu层是在Ni
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P层上电铸Cu而以超过抗蚀剂体的厚度的状态形成的，在其上部周缘形成有突出部(overhang)。在Cu层的上表面，通过冲击镀处理形成Au层，进而在Au层的上表面实施电铸处理而形成Ag层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
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40679号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]根据专利文献1的半导体装置，因为搭载衬垫的搭载衬垫主体部和外部电极的电极主体部分别由非磁性的Cu层和Ni－P层形成，所以即使在将对磁产生感应的半导体元件固定于搭载衬垫的情况下，也不会对半导体元件造成磁性的恶劣影响。但是，由于依次实施电铸处理、无电解镀处理、电铸处理、冲击镀处理和电铸处理而层叠形成Au层、Ni－P层、Cu层、Au层、Ag层，因此半导体装置的制造工时增加，无法避免制造成本的相应增加。
[0008]本专利技术的目的在于，使非磁性的搭载衬垫(搭载衬垫主体部)、外部电极(外部电极主体部)的结构简化，能够更廉价地提供不对磁产生感应的半导体装置用基板、半导体装置。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]本专利技术的半导体装置用基板在基板16的表面形成有外部电极3。外部电极3具备：形成于基板16表面的第三表面层7、形成于第三表面层7表面的外部电极主体部9、以及形成于外部电极主体部9表面的第四表面层13。外部电极3的外部电极主体部9的特征在于，由非磁性的Ni
‑
P形成。
[0011]外部电极3的外部电极主体部9由Ni－P的电镀层形成。
[0012]外部电极3的外部电极主体部9的维氏硬度为400～600HV。
[0013]外部电极3的总厚度T1为20～100μm。
[0014]本专利技术的另一半导体装置用基板在基板16的表面形成有半导体元件1的搭载衬垫2和外部电极3。搭载衬垫2具备：形成于基板16表面的第一表面层6、形成于第一表面层6表面的搭载衬垫主体部8、以及形成于搭载衬垫主体部8表面的第二表面层12。外部电极3具备：形成于基板16表面的第三表面层7、形成于第三表面层7表面的外部电极主体部9、以及形成于外部电极主体部9表面的第四表面层13。搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9分别由非磁性的Ni
‑
P形成。
[0015]搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9分别由Ni－P的电镀层形成。
[0016]搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9的维氏硬度为400～600HV。
[0017]搭载衬垫2和外部电极3各自的总厚度T1为20～100μm。
[0018]在本专利技术的半导体装置用基板的制造方法中，将在基板16的表面形成有外部电极3的半导体装置用基板作为对象。半导体装置用基板的制造方法的特征在于，包括：抗蚀剂图案化工序，在基板16的表面形成图案抗蚀剂；第一金属层形成工序，使用上述图案抗蚀剂在基板16的表面形成外部电极3的第三表面层7；主体部形成工序，在第三表面层7的表面形成外部电极主体部9；以及第二金属层形成工序，在外部电极主体部9的表面形成第四表面层13；在主体部形成工序中，对第三表面层7的表面实施Ni－P的电镀处理，形成外部电极主体部9。
[0019]在本专利技术的另一半导体装置用基板的制造方法中，以在基板16的表面形成有半导体元件1的搭载衬垫2和外部电极3的半导体装置用基板为对象。半导体装置用基板的制造方法的特征在于，包括：抗蚀剂图案化工序，在基板16的表面形成图案抗蚀剂；第一金属层形成工序，使用上述图案抗蚀剂在基板16的表面形成搭载衬垫2的第一表面层6、外部电极3的第三表面层7；主体部形成工序，在第一表面层6和第三表面层7的各表面形成搭载衬垫主体部8和外部电极主体部9；以及第二金属层形成工序，在搭载衬垫主体部8的表面形成第二表面层12、在外部电极主体部9的表面形成第四表面层13；在主体部形成工序中，对第一表面层6和第三表面层7的表面实施Ni－P的电镀处理，形成搭载衬垫主体部8和外部电极主体部9。
[0020]在本专利技术的半导体装置中，半导体元件1与外部电极3电连接，并被密封在树脂5的内部。外部电极3具备：在半导体装置的安装面S露出的第三表面层7、形成于第三表面层7表面的外部电极主体部9、以及形成于外部电极主体部9表面的第四表面层13。外部电极3的外部电极主体部9由非磁性的Ni
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P形成。
[0021]外部电极3的外部电极主体部9由Ni－P的电镀层形成。
[0022]外部电极3的外部电极主体部9的维氏硬度为400～600HV。
[0023]外部电极3的总厚度T1为20～100μm。
[0024]在本专利技术的另一半导体装置中，固定于搭载衬垫2的半导体元件1与外部电极3电连接，半导体元件1、搭载衬垫2和外部电极3被密封在树脂5的内部。搭载衬垫2具备：在半导体装置的安装面S露出的第一表面层6、形成于第一表面层6表面的搭载衬垫主体部8、以及形成于搭载衬垫主体部8表面的第二表面层12。外部电极3具备：在半导体装置的安装面S露
出的第三表面层7、形成于第三表面层7表面的外部电极主体部9、以及形成于外部电极主体部9表面的第四表面层13。搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9的特征在于，由非磁性的Ni－P形成。
[0025]搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9分别由Ni－P的电镀层形成。
[0026]搭载衬垫2的搭载衬垫主体部8和外部电极3的外部电极主体部9的维氏硬度为400～600HV。
[0027]搭载衬垫2和外部电极3各自的总厚度T1为20～100μm。
[0028]专利技术效果
[0029]在本专利技术的半导体装置用基板中，外部电极3具备：形成于基板16表面的第三表面层7、形成于第三表面层7表面的外部电极主体部9、以及本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置用基板，其为在基板(16)的表面形成有外部电极(3)的半导体装置用基板，其特征在于，外部电极(3)具备：形成于基板(16)表面的第三表面层(7)、形成于第三表面层(7)表面的外部电极主体部(9)、以及形成于外部电极主体部(9)表面的第四表面层(13)，外部电极(3)的外部电极主体部(9)由非磁性的Ni
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P形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的外部电极主体部(9)由Ni
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P的电镀层形成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的外部电极主体部(9)的维氏硬度为400～600HV。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的总厚度T1为20～100μm。5.一种半导体装置用基板，其为在基板(16)的表面形成有半导体元件(1)的搭载衬垫(2)和外部电极(3)的半导体装置用基板，其特征在于，搭载衬垫(2)具备：形成于基板(16)表面的第一表面层(6)、形成于第一表面层(6)表面的搭载衬垫主体部(8)、以及形成于搭载衬垫主体部(8)表面的第二表面层(12)，外部电极(3)具备：形成于基板(16)表面的第三表面层(7)、形成于第三表面层(7)表面的外部电极主体部(9)、以及形成于外部电极主体部(9)表面的第四表面层(13)，搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)分别由非磁性的Ni
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P形成。6.根据权利要求5所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)分别由Ni
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P的电镀层形成。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)的维氏硬度为400～600HV。8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)和外部电极(3)各自的总厚度T1为20～100μm。9.一种半导体装置用基板的制造方法，其为在基板(16)的表面形成有外部电极(3)的半导体装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：抗蚀剂图案化工序，在基板(16)的表面形成图案抗蚀剂；第一金属层形成工序，使用所述图案抗蚀剂在基板(16)的表面形成外部电极(3)的第三表面层(7)；主体部形成工序，在第三表面层(7)的表面形成外部电极主体部(9)；以及第二金属层形成工序，在外部电极主体部(9)的表面形成第四表面层(13)；在主体部形成工序中，对第三表面层(7)的表面实施Ni
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P的电镀处理，形成外部电极主体部(9)。10.一种半导体装置用基板的制造方法，其为在基板(16)的表面形成有半导体元件(1)的搭载衬垫(2)和外部电极(3)的半导体装置用基板的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：五郎丸佑也，上田旺，
申请(专利权)人：麦克赛尔控股株式会社，
类型：发明
国别省市：
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