【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储存储器单元及偏移存储器单元
本公开大体上涉及半导体存储器及方法，并且更具体来说，涉及用于包含存储存储器单元及偏移存储器单元的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要功率来保持其数据，例如主机数据、误差数据等，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及晶闸管随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保存所存储数据来提供永久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM)，例如自旋力矩转移随机存取存储器(STTRAM)等等。附图说明图1是根据本公开的数个实施例的呈包含存储器装置的计算系统形式的设备的框图。图2是说明根据本公开的数个实施例...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n感测放大器；/n多个存储存储器单元，其经由第一数字线耦合到所述感测放大器；以及/n多个偏移存储器单元，其经由第二数字线耦合到所述感测放大器。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 US 62/725,8891.一种设备，其包括：
感测放大器；
多个存储存储器单元，其经由第一数字线耦合到所述感测放大器；以及
多个偏移存储器单元，其经由第二数字线耦合到所述感测放大器。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储存储器单元及所述多个偏移存储器单元包括存储器单元阵列。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储存储器单元及所述偏移存储器单元中的每一者包含具有特定电容的相应电容器。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述多个偏移存储器单元具有大致等于所述第一数字线的电容的累积电容。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其进一步包括耦合到所述偏移存储器单元中的每一者及所述第二数字线的相应存取装置。
6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括控制器，所述控制器耦合到所述存取装置且经配置以将所述偏移存储器单元中的至少一者选择性地耦合到所述第二数字线。
7.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其进一步包括晶体管，所述晶体管耦合到所述第二数字线及所述感测放大器且经配置以将所述感测放大器耦合到所述第二数字线。
8.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述多个偏移存储器单元永久地耦合到所述第二数字线。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其进一步包括在存储器阵列的边缘处的多个感测放大器，其中：
所述多个感测放大器中的每一感测放大器耦合到与在所述存储器阵列的所述边缘处的所述存储器阵列的区段相关联的相应第三数字线及与在所述存储器阵列的所述边缘处的所述存储器阵列的所述区段相关联的相应第四数字线；
所述相应第三数字线耦合到至少一个存储存储器单元；且
所述相应第四数字线耦合到至少一个偏移存储器单元。
10.一种方法，其包括：
将存储器单元阵列的偏移存储器单元选择性地耦合到耦合到感测放大器的第一导电线；以及
利用所述选择性耦合的存储器单元上的电压使所述感测放大器的电压差偏移。
11.根据权利要求10所述的方法，其中选择性地耦合所述偏移存储器单元包含启用与所述选择性耦合的偏移存储器单元相关联的字线驱动器。
12.根据权利要求10到11中任一项所述的方法，其中选择性地耦合所述偏移存储器单元包含选择性地耦合所述偏移存储器单元，使得所述选择性耦合的偏移存储器单元的所述累积电容大致等于耦合到所述感测放大器的第二导电线的电容。
13.根据权利要求10所述的方法，其中使所述感测放大器...
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