【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属硫属元素化物的连续薄膜
本专利技术涉及一种金属硫属元素化物的连续薄膜。本专利技术还涉及一种包含该薄膜的不对称结以及制造该薄膜的方法。背景铁电薄膜在非易失性存储器应用中引起了极大的兴趣，并且由于其具有快速切换速度、高开-关比和无损读出的前景，因此可以用于铁电肖特基二极管或铁电隧穿结(tunnellingjunction)。具有极化调节的肖特基势垒的铁电肖特基二极管(FSD)有望用于电阻式切换存储器(resistiveswitchingmemory)，但其在开/关比和读出电流密度方面的性能比铁电隧穿结(FTJ)差得多。这是因为基于氧化物的铁电材料的绝缘性质限制了最大二极管电流，这妨碍了使用读出放大器(senseamplifier)(尤其是在小型化电路元件中)对存储器状态进行稳定检测。然而，由于存在去极化场，该去极化场强烈抑制薄材料中的自发极化，因此使用更薄的材料来改善电流密度会损害铁电性质。因此，理想的铁电材料应当具有适度的带隙，并且在按比例缩减到超薄水平时还应当具有保持自发的面外极化的能力。2D硒化铟(α-In...
【技术保护点】
1.一种包含金属硫属元素化物的连续薄膜，其中所述金属选自第13或14周期族，且硫属元素是：硫(S)、硒化物(Se)或碲(Te)，并且其中薄膜的厚度≤20nm。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180906 SG 10201807668R1.一种包含金属硫属元素化物的连续薄膜，其中所述金属选自第13或14周期族，且硫属元素是：硫(S)、硒化物(Se)或碲(Te)，并且其中薄膜的厚度≤20nm。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其中所述金属是：铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锗(Ge)或其合金。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其中所述金属硫属元素化物为：In2Se3、In2S3、Ga2Se3、Ga2S3、SnS、SnSe、GeSe、In2Te3、SnTe、GeTe、GaTe或其组合。
4.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜，其中所述薄膜的厚度≤10nm。
5.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜，其中所述薄膜设置在基底的表面上。
6.根据权利要求5所述的薄膜，其中所述基底具有六方晶格对称性。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜，其中所述基材是石墨烯、高度有序的热解石墨或六方氮化硼。
8.一种不对称结，其包含根据前述权利要求中任一项所述的连续薄膜。
9.根据权利要求8所述的不对称结，其进一步包括第一电极和第二电极，其中所述连续膜夹在所述第一电极和第二电极之间。
10.根据权利要求8所述的不对称结，其进一步包括第一电极和第二电极，其中所述连续膜以横向配置在所述第一电极和所述第二电极之间形成通道。
11.根据权利要求9或10所述的不对称结，其中所述第一电极和所述第二电极具有不同的功函数。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的不对称结，其中与所述第二电极相比，所述第一电极具有更低的功函数。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的不对称结，其中所述第一电极具有六方晶格对称性。
14.根据权利要求13所述的不对称结，其中所述第一电极选自石墨烯、高度有序的热解石墨和六方氮化硼。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的不对称结，其中所述第二电极选自金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、钴(Co)和镍(Ni)。
16.根据权利要求9至15中任一项所述的不对称结，其中所述第一电极是石墨烯，且所述第二电极是Au。
17.在基底的表面上直接形成根据权利要求1至4中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗建平，傅淑梅，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。