单晶量子点表面增强拉曼光谱芯片制造技术

技术编号：46471625 阅读：4 留言：0更新日期：2025-09-23 22:31

本申请提供一种表面增强拉曼光谱芯片。该表面增强拉曼光谱芯片包括基片和制造于基片上的量子点阵列。基片由具有垂直于基片的主表面的晶向（001）的单晶氧化物制成。量子点由选自金、银、铜、铂、铁、钴、镍、钌、铑、钯及其合金组成的组的单晶材料制成。量子点阵列具有等于或小于3.0±0.5纳米的平均厚度，并且具有0.5纳米至5纳米的、相邻量子点之间的间距。该表面增强拉曼光谱芯片在手性分子检测方面表现出优异的性能。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请涉及表面增强拉曼光谱（surface-enhanced raman spectroscopy，sers）芯片，并且具体而言，本申请涉及单晶量子点sers芯片。

技术介绍

1、sers是一种用于化学和生物传感应用的检测技术。作为样品保持器，sers芯片可以显著增强拉曼光谱信号的强度，从而有助于精确的光谱分析。然而，常规sers芯片上的微米结构和/或纳米结构具有复杂的设置，例如表面改性、化学功能化或封装。此外，制造常规sers芯片的方法复杂繁琐。

技术实现思路

1、一方面，本申请提供一种表面增强拉曼光谱（sers）芯片。该sers芯片包括基片和制造于基片上的量子点阵列。基片由具有垂直于基片的主表面的晶向（001）的单晶氧化物制成。量子点由选自金、银、铜、铂、铁、钴、镍、钌、铑、钯及其合金组成的组的单晶材料制成。量子点阵列具有等于或小于3.0±0.5纳米的平均厚度以及0.5纳米至5纳米的、相邻量子点之间的间距。

2、在一些实施例中，量子点阵列的特征在于在拉曼激光波长处具有表面等...

【技术保护点】

1.一种表面增强拉曼光谱芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼光谱芯片，其中所述量子点阵列的特征在于在拉曼激光波长处具有表面等离子体共振吸收峰。

3.根据权利要求2所述的表面增强拉曼光谱芯片，其中所述量子点阵列在0eV至0.25eV的拉曼散射范围内具有95％的自旋极化。

4.根据权利要求3所述的表面增强拉曼光谱芯片，其中所述量子点阵列在633纳米处具有表面等离子体共振吸收峰。

5.根据权利要求4所述的表面增强拉曼光谱芯片，其中所述量子点阵列的特征在于具有与5d能带杂化的6s能带以及1.75eV的带隙。